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| 500 | ▼j리세스 p-GaN 기반의 AlGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터: 증가형 및 문턱 전압 향상에 대한 TCAD 연구 | |
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Recessed p-GaN gate integration in AlGaN/GaN HEMTs :a TCAD study on performance enhancement and threshold voltage shift
Material type
학위논문 동서
Title
Recessed p-GaN gate integration in AlGaN/GaN HEMTs :a TCAD study on performance enhancement and threshold voltage shift
Author's Name
Publication
부산 : 동아대학교 대학원 2025
Physical Description
vii, 53 p : 천연색삽화, 도표 ; 27 cm
학위논문주기
학위논문(석사)-- 동아대학교 대학원 : 전자공학과, 2025.2
Keyword
참고문헌: p. 47-49
Subject
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Call no. : 569.43 뉴894R
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대출불가 (정리 중 도서 대출 불가)
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