| 000 | nam c | |
| 001 | 2210080937682 | |
| 005 | 20250529141515 | |
| 007 | ta | |
| 008 | 250529s2025 bnkad m FB 000a eng | |
| 040 | ▼a221008 | |
| 041 | ▼aeng▼bkor | |
| 056 | ▼a569.43▼25 | |
| 245 | 00 | ▼aRecessed p-GaN gate integration in AlGaN/GaN HEMTs :▼ba TCAD study on performance enhancement and threshold voltage shift /▼d뉴페인 란잔 |
| 260 | ▼a부산 :▼b동아대학교 대학원,▼c2025 | |
| 300 | ▼avii, 53 p. :▼b천연색삽화, 도표 ;▼c27 cm | |
| 500 | ▼z지도교수: 박민수, 심대용 | |
| 500 | ▼z권말부록: TCAD CODE | |
| 500 | ▼j리세스 p-GaN 기반의 AlGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터: 증가형 및 문턱 전압 향상에 대한 TCAD 연구 | |
| 502 | ▼a학위논문(석사)--▼b동아대학교 대학원 :▼c전자공학과,▼d2025.2 | |
| 504 | ▼a참고문헌: p. 47-49 | |
| 653 | ▼aHEMT▼anormally-off▼aTCAD▼a2DEG | |
| 700 | 1 | ▼a뉴페인 란잔 |
| 856 | ▼adcoll.donga.ac.kr▼uhttp://donga.dcollection.net/common/orgView/200000862939 | |
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Recessed p-GaN gate integration in AlGaN/GaN HEMTs :a TCAD study on performance enhancement and threshold voltage shift
소장정보
청구기호 : 569.43 뉴894R
예도서예약
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보보존서고신청
캠캠퍼스대출
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검검색지인쇄
| 등록번호 | 청구기호 | 별치기호 | 소장위치 | 대출상태 | 반납예정일 | 서비스 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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등록번호
E1095126
|
청구기호
569.43 뉴894R
|
별치기호
D
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소장위치
(서가배가중)
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대출상태
대출불가 (정리 중 도서 대출 불가)
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반납예정일
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서비스
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