| 000 | nam | |
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| 040 | ▼a221008 | |
| 100 | ▼a배창민 | |
| 245 | 00 | ▼a0.2μm T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMTs의 제작 및 특성에 관한 연구/▼d배창민 [著]. - |
| 260 | ▼a포항:▼b포항공과대학교 대학원,▼c1997. - | |
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| 502 | ▼a학위논문(석사)-▼b포항공과대학 대학원▼c전자전기공학과 반도체전공▼d1997년2월 | |
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| 950 | ▼a비매품▼b￦3,000▼c(추정가) |
0.2μm T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMTs의 제작 및 특성에 관한 연구
Material type
학위논문 동서
Title
0.2μm T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMTs의 제작 및 특성에 관한 연구
Author's Name
Publication
포항: 포항공과대학교 대학원 1997. -
Physical Description
vi,36장: 삽도; 26cm. -
학위논문주기
학위논문(석사)- 포항공과대학 대학원 전자전기공학과 반도체전공 1997년2월
Holdings Information
Call no. : 569.8 배811영
RReservation
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CClosed Stack Request
IInter-Campus Loan
CPriority Cataloging
PPrint
| Registration no. | Call no. | Location Mark | Location | Status | Due for return | Service |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Registration no.
E0555518
|
Call no.
569.8 배811영
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Location Mark
D
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Location
부민보존서고Ⅱ-2
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Status
대출불가 (GUEST 로그인)
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Due for return
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Service
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