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040 a221008
100 a배창민
245 00 a0.2μm T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMTs의 제작 및 특성에 관한 연구/d배창민 [著]. -
260 a포항:b포항공과대학교 대학원,c1997. -
300 avi,36장.:b삽도;c26cm. -
502 a학위논문(석사)-b포항공과대학 대학원c전자전기공학과 반도체전공d1997년2월
650 aAlGaAsaInGaAsaPHEMTs
950 aFB
950 a비매품b₩3,000c(추정가)
0.2μm T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMTs의 제작 및 특성에 관한 연구
종류
학위논문 동서
서명
0.2μm T형 게이트 AlGaAs/InGaAs P-HEMTs의 제작 및 특성에 관한 연구
저자명
발행사항
형태사항
vi,36장: 삽도; 26cm. -
학위논문주기
학위논문(석사)- 포항공과대학 대학원 전자전기공학과 반도체전공 1997년2월

소장정보

청구기호 : 569.8 배811영
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등록번호 청구기호 별치기호 소장위치 대출상태 반납예정일 서비스
등록번호
E0555518
청구기호
569.8 배811영
별치기호
D
소장위치
부민보존서고Ⅱ-2
대출상태
대출불가 (GUEST 로그인)
반납예정일
서비스

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