为提高h-MoS2对NO的气敏性,采用第一性原理研究了X(X=La, Ce, Pr和Nd)对h-MoS2的稳定性, 吸附特性, 功函数和伏安特性的影响.研究结果表明:X(X=La, Ce, Pr和Nd)取代Mo原子后得到的形成能均为负,说明掺杂体系容易形成且稳定存在.同时X掺杂后的h-MoS2布居数相比于未掺杂前的大,也说明掺杂有利于体系稳定.NO吸附在La, Ce原子顶部位置的吸附能为-1.215 e V, -1.225 e V,吸附距离分别为2.475?, 2.854?,具有明显的化学吸附特征.同时Hirshfeld转移电荷分别为0.213e和0.325e,具有明显的受体特征,提高了气敏性.La和Ce掺杂后能明显改变功函数的大小,也说明La和Ce能提高h-MoS2对NO的气敏性.施加电场后能有效提高Pr掺杂体系的吸附强度,增大Hirshfeld转移电荷,对功函数的改变最大,所以电场对Pr掺杂体系的影响非常明显.通过分析掺杂体系的伏安特性曲线,La, Ce两掺杂体系的电流分别由0增大到5.3μA和4.8μA,而Pr, Nd两掺杂体系的电流分别由0增大到2.2μA和1.2μA,所以La, Ce掺杂对于体系敏感性的影响比较明显. [ABSTRACT FROM AUTHOR]