I.E.E.E. transactions on electron devices 66 (2019): 1810–1814. doi:10.1109/TED.2019.2900743 info:cnr-pdr/source/autori:Pilotto A.; Palestri P.; Selmi L.; Antonelli M.; Arfelli F.; Biasiol G.; Cautero G.; Driussi F.; Menk R.H.; Nichetti C.; Steinhartova T./titolo:A new expression for the gain-noise relation of single-carrier avalanche photodiodes with arbitrary staircase multiplication regions/doi:10.1109%2FTED.2019.2900743/rivista:I.E.E.E. transactions on electron devices/anno:2019/pagina_da:1810/pagina_a:1814/intervallo_pagine:1810–1814/volume:66