Evaluation of trench SiC-MOSFET by multifunctional scanning probe microscope / 多機能走査型プローブ顕微鏡によるトレンチSiC-MOSFETの評価
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3471
- Subject
20a-PA6-6 Scanning capacitance force microscope Scanning probe microscope SiC Silicon carbide 構造評価 結晶工学 結晶評価,不純物・結晶欠陥 走査型プローブ顕微鏡 走査型容量原子間力顕微鏡 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613