800 oCでアニーリングされたIn0.8Ga0.2As0.45P0.55におけるスピン緩和の観測 / Observation of spin relaxation in 800-oC-annealed Be-doped In0.8Ga0.2As0.45P0.55 at 10-300 K
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :1987
- Subject
11p-P1-8 InGaAsP spin スピン スピントロニクス・マグネティクス スピン依存光現象・デバイス(回路・素子設計含む) 半導体・有機・光・量子スピントロニクス - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613