BeドープInGaAsPバルクにおけるスピン緩和時間のキャリア濃度依存性(10-300 K) / Carrier density dependence of spin relaxation time in Be-doped InGaAsP bulk (10-300 K)
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :2915
- Subject
13p-A35-7 InGaAsP carrier density dependence spin キャリア濃度依存性 スピン 光物性・発光デバイス 半導体 半導体光物性 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613