C-V profile analysis of plasma-induced defects in GaN (2) / GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析(2)
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3146
- Subject
16a-P4-4 GaN plasma-induced defects プラズマ照射誘起欠陥 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 半導体 窒化物半導体各種デバイス,プロセス技術・評価 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613