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Hot carrier주입에 따른 MOS구조의 계면 Trap생성 =Study on relationship between trapped hole and interface state generation
종류
학위논문 동서
서명
Hot carrier주입에 따른 MOS구조의 계면 Trap생성 =Study on relationship between trapped hole and interface state generation
저자명
발행사항
인천 : 인하대학교 대학원, 1990.
형태사항
iii, 36p : 삽도 ; 26cm.
학위논문주기
학위논문(석사)-- 仁荷大學校 大學院: 應用物理學科, 1990
주제
소장정보
청구기호 : 420.45 김883H
예도서예약
서서가부재도서 신고
보보존서고신청
캠캠퍼스대출
우우선정리신청
검검색지인쇄
| 등록번호 | 청구기호 | 별치기호 | 소장위치 | 대출상태 | 반납예정일 | 서비스 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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등록번호
E0363753
|
청구기호
420.45 김883H
|
별치기호
D
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소장위치
부민보존서고Ⅱ-2
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대출상태
대출불가 (GUEST 로그인)
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반납예정일
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서비스
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