소장자료

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245 00 aMOCVD를 이용한 차세대 저저항 Cu 배선 형성에 관한 연구/d崔正煥
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502 a학위논문(석사)b국민대학교 대학원:c금속재료공학과,d2000
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950 0 a비매품
MOCVD를 이용한 차세대 저저항 Cu 배선 형성에 관한 연구
종류
학위논문 동서
서명
MOCVD를 이용한 차세대 저저항 Cu 배선 형성에 관한 연구
저자명
발행사항
서울: 國民大學校 2000
형태사항
vi,55장: 삽도; 26cm
학위논문주기
학위논문(석사) 국민대학교 대학원: 금속재료공학과, 2000

소장정보

청구기호 : 530.48 최74M
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등록번호
E0703846
청구기호
530.48 최74M
별치기호
D
소장위치
부민보존서고Ⅱ-2
대출상태
대출불가 (GUEST 로그인)
반납예정일
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