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1 . Academic Journal
Estimation of Ga adatom diffusion length for GaP growth by molecular beam epitaxy
저자
by
Piedra-Lorenzana, Jose A.
;
Yamane, Keisuke
;
Shiota, Koki
;
Fujimoto, Junya
;
Tanaka, Shunsuke
, et al.
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Journal of Crystal Growth
15 April 2019 512:37-40
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7 . Academic Journal
Regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy through Ti-mask selective-area growth technique
저자
by
Sekiguchi, Hiroto
;
Date, Kohei
;
Imanishi, Tomohiko
;
Tateishi, Hiroki
;
Yamane, Keisuke
, et al.
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In
Journal of Crystal Growth
1 April 2019 511:73-78
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RefWorks
7 . Academic Journal
Impact of temperature and nitrogen composition on the growth of GaAsPN alloys
저자
by
Yamane, Keisuke
;
Mugikura, Shun
;
Tanaka, Shunsuke
;
Goto, Masaya
;
Sekiguchi, Hiroto
, et al.
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In
Journal of Crystal Growth
15 March 2018 486:24-29
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7 . Academic Journal
Bulk GaN substrate with overall dislocation density on the order of 105/cm2 fabricated by hydride vapor phase epitaxy
저자
by
Goubara, Shin
;
Matsubara, Tohoru
;
Yukizane, Kota
;
Arita, Naoki
;
Fujimoto, Satoru
, et al.
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In
Journal of Crystal Growth
15 November 2017 478:123-128
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7 . Academic Journal
Doping control of GaAsPN alloys by molecular beam epitaxy for monolithic III-V/Si tandem solar cells
저자
by
Yamane, Keisuke
;
Sato, Kento
;
Sekiguchi, Hiroto
;
Okada, Hiroshi
;
Wakahara, Akihiro
.
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Journal of Crystal Growth
1 September 2017 473:55-59
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7 . Academic Journal
Mechanism of improved crystallinity by defect-modification in proton-irradiated GaAsPN photovoltaics: Experimental and first-principle calculations approach.
저자
by
Yamane, Keisuke
;
Maki, Yuito
;
One, Shun
;
Wakahara, Akihiro
;
Pavelescu, Emil-Mihai
, et al.
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Journal of Applied Physics
. 8/14/2022, Vol. 132 Issue 6, p1-6. 6p.
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7 . Academic Journal
Eu3+ luminescence properties of Eu- and Mg-codoped AlGaN
저자
by
Kanemoto, Masayoshi
;
Sekiguchi, Hiroto
;
Yamane, Keisuke
;
Okada, Hiroshi
;
Wakahara, Akihiro
.
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In
Journal of Luminescence
October 2015 166:60-66
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7 . Academic Journal
Growth of low defect density GaP layers on Si substrates within the critical thickness by optimized shutter sequence and post-growth annealing
저자
by
Yamane, Keisuke
;
Kawai, Tsuyoshi
;
Furukawa, Yuzo
;
Okada, Hiroshi
;
Wakahara, Akihiro
.
소스
In
Journal of Crystal Growth
2010 312(15):2179-2184
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RefWorks
7 . Academic Journal
Growth of pit-free GaP on Si by suppression of a surface reaction at an initial growth stage
저자
by
Yamane, Keisuke
;
Kobayashi, Tomohito
;
Furukawa, Yuzo
;
Okada, Hiroshi
;
Yonezu, Hiroo
, et al.
소스
In
Journal of Crystal Growth
2009 311(3):794-797
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7 . Conference
III–V-N compounds for multi-junction solar cells on Si
저자
by
Yamane, Keisuke
;
Urakami, Noriyuki
;
Sekiguchi, Hiroto
;
Wakahara, Akihiro
.
소스
2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC) Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2014 IEEE 40th. :2792-2796 Jun, 2014
Full Text (IEEE)
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