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1 . Conference
BEOL-compatible 4F2 Single Crystalline Semiconductor Oscillator for Low-power and Large-scale Oscillatory Neural Network Hardware
저자
by
Kim, Joon Pyo
;
Kim, Hyun Wook
;
Jeong, Jaeyong
;
Park, Juhyuk
;
Kim, Seong Kwang
, et al.
소스
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2023 International. :1-4 Dec, 2023
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Switching mechanisms of CMOS-compatible ECRAM transistors—Electrolyte charging and ion plating.
저자
by
Tessler, Nir
;
Kim, Nayeon
;
Kang, Heebum
;
Woo, Jiyong
.
소스
Journal of Applied Physics
. 8/21/2023, Vol. 134 Issue 7, p1-10. 10p.
Full Text (AIP)
Web of Science
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RefWorks
6 . Academic Journal
Optimized annealing conditions to enhance stability of polarization in sputtered HfZrOx layers for non-volatile memory applications
저자
by
Kim, Yeriaron
;
Woo, Jiyong
;
Im, Solyee
;
Lee, Yeseul
;
Kim, Jeong Hun
, et al.
소스
In
Current Applied Physics
December 2020 20(12):1441-1446
Full Text (ScienceDirect)
KCI 등재 저널
Web of Science
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RefWorks
7 . Academic Journal
Effect of the number and distribution of Al
2
O
3
atomic layer deposition cycles within HfO
2
layer on ferroelectric characteristics.
저자
by
Park, Hyoungjin
;
Jeong, Jiae
;
Kim, Hyun Wook
;
Hong, Eunryeong
;
Kim, Nayeon
, et al.
소스
Applied Physics Letters
. 3/25/2024, Vol. 124 Issue 13, p1-6. 6p.
Full Text (AIP)
Web of Science
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RefWorks
7 . Academic Journal
Strategy to improve synaptic behavior of ion-actuated synaptic transistors—the use of ion blocking layer to improve state retention.
저자
by
Jeon, Seonuk
;
Tessler, Nir
;
Kim, Nayeon
;
Hong, Eunryeong
;
Kim, Hyun Wook
, et al.
소스
Scientific Reports
. 3/4/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-7. 7p.
Web of Science
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RefWorks
7 . Conference
Hold Voltage Behavior in NbOx Based Threshold Switches for Selector Technology and Neuromorphic Computing Applications
저자
by
Kim, Hyun Wook
;
Jin, Sol
;
Kang, Heebum
;
Hong, Eun Ryeong
;
Woo, Jiyong
.
소스
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2022 6th IEEE. :207-209 Mar, 2022
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Conference
Device Engineering Strategy of Zr-Doped HfOx Ferroelectric Memory for Unconventional Computing Applications
저자
by
Woo, Jiyong
.
소스
2021 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS). :1-4 May, 2021
Full Text (IEEE)
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RefWorks
3 . Academic Journal
Dual functionality of threshold and multilevel resistive switching characteristics in nanoscale HfO2-based RRAM devices for artificial neuron and synapse elements
저자
by
Woo, Jiyong
;
Lee, Dongwook
;
Koo, Yunmo
;
Hwang, Hyunsang
.
소스
In
Microelectronic Engineering
5 October 2017 182:42-45
Full Text (ScienceDirect)
Web of Science
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RefWorks
6 . Academic Journal
Internal Resistor Effect of Multilayer-Structured Synaptic Device for Low-Power Operation.
저자
by
Kim, Hyejin
;
Han, Geonhui
;
Cho, Seojin
;
Woo, Jiyong
;
Lee, Daeseok
.
소스
Nanomaterials (2079-4991)
. Jan2024, Vol. 14 Issue 2, p201. 10p.
Web of Science
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RefWorks
7 . Academic Journal
Role of oxide barrier in a NbO
x
layer with noninert electrodes for high-yield threshold switching characteristics.
저자
by
Choi, Hyeonsik
;
Kim, Hyun Wook
;
Hong, Eunryeong
;
Kim, Nayeon
;
Jeon, Seonuk
, et al.
소스
AIP Advances
. Jan2024, Vol. 14 Issue 1, p1-7. 7p.
Web of Science
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