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1 . Academic Journal
A fully integrated half-bridge driver circuit in All-GaN GAN-IC technology
저자
by
Chatterjee, Urmimala
;
Pauw, Herbert De
;
Syshchyk, Olga
;
Cosnier, Thibault
;
Vohra, Anurag
, et al.
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In
Solid State Electronics
September 2023 207
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RefWorks
7 . Report
AlN/Si interface engineering to mitigate RF losses in MOCVD grown GaN-on-Si substrates
저자
by
Cardinael, Pieter
;
Yadav, Sachin
;
Hahn, Herwig
;
Zhao, Ming
;
Banerjee, Sourish
, et al.
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Open Access (Arxiv)
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RefWorks
7 . Conference
Device optimization for 200V GaN-on-SOI Platform for Monolithicly Integrated Power Circuits
저자
by
Syshchyk, Olga
;
Cosnier, Thibault
;
Huang, Zheng-Hong
;
Cingu, Deepthi
;
Wellekens, Dirk
, et al.
소스
ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European. :245-248 Sep, 2022
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RefWorks
7 . Academic Journal
Enhancing the Forward Gate Bias Robustness in p‐GaN Gate High‐Electron‐Mobility Transistors through Doping Profile Engineering.
저자
by
Borga, Matteo
;
Posthuma, Niels
;
Vohra, Anurag
;
Bakeroot, Benoit
;
Decoutere, Stefaan
.
소스
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science
. Apr2024, p1. 8p. 12 Illustrations.
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RefWorks
7 . Academic Journal
Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability.
저자
by
Filho, Walter Gonçalez
;
Borga, Matteo
;
Geens, Karen
;
Khan, Md Arif
;
Cingu, Deepthi
, et al.
소스
Applied Physics Letters
. 3/11/2024, Vol. 124 Issue 11, p1-6. 6p.
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RefWorks
7 . Academic Journal
Enhanced B doping in CVD-grown GeSn:B using B δ-doping layers
저자
by
Kohen, David
;
Vohra, Anurag
;
Loo, Roger
;
Vandervorst, Wilfried
;
Bhargava, Nupur
, et al.
소스
In
Journal of Crystal Growth
1 February 2018 483:285-290
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RefWorks
7 . Academic Journal
Development and analysis of thick GaN drift layers on 200 mm CTE-matched substrate for vertical device processing.
저자
by
Gonçalez Filho, Walter
;
Borga, Matteo
;
Geens, Karen
;
Cingu, Deepthi
;
Chatterjee, Urmimala
, et al.
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Scientific Reports
. 9/23/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-12. 12p.
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RefWorks
7 . Academic Journal
Point defect formation near the epitaxial Ge(001) growth surface and the impact on phosphorus doping activation.
저자
by
Vohra, Anurag
;
Pourtois, Geoffrey
;
Loo, Roger
;
Vandervorst, Wilfried
.
소스
Journal of Applied Physics
. 9/28/2021, Vol. 130 Issue 12, p1-14. 14p.
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RefWorks
6 . Conference
QUBiC generation 9, a new BiCMOS process optimized for mmWave applications
저자
by
Melai, Joost
;
Magnee, Peter
;
Pouwel, Ivo
;
Weijs, Pieter
;
Brunets, Ihor
, et al.
소스
2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM, 2015 IEEE. :113-116 Oct, 2015
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
A demonstration of donor passivation through direct formation of V-Asi complexes in As-doped Ge1−xSnx.
저자
by
Khanam, Afrina
;
Vohra, Anurag
;
Slotte, Jonatan
;
Makkonen, Ilja
;
Loo, Roger
, et al.
소스
Journal of Applied Physics
. 5/21/2020, Vol. 127 Issue 19, p1-6. 6p. 1 Chart, 5 Graphs.
Full Text (AIP)
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