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1 . Academic Journal
Design and verification of multiple SEU mitigated circuits on SRAM-based FPGA system
저자
by
Yu, Jian
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
Gao, Shuai
;
Liu, Tianqi
, et al.
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In
Microelectronics Reliability
November 2021 126
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7 . Academic Journal
Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits
저자
by
Wang, Shu
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
He, Ze
;
Huang, Zhiqin
, et al.
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In
Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A
1 October 2021 1012
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7 . Conference
Characterization of Reliabilities of 22 nm UTBB FDSOI Ring Oscillators
저자
by
Cai, Chang
;
Zhao, Kai
;
Yu, Jian
;
Chen, Gengsheng
;
Shen, Mingjie
, et al.
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2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT) Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2022 IEEE 16th International Conference on. :1-3 Oct, 2022
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7 . Academic Journal
Bias dependence of TID induced single transistor latch for 0.13 μm partially depleted SOI input/output NMOSFETs
저자
by
Fan, Shuang
;
Ning, Bingxu
;
Hu, Zhiyuan
;
Zhang, Zhengxuan
;
Bi, Dawei
, et al.
소스
In
Microelectronics Reliability
January 2016 56:1-9
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7 . Conference
Characterization and Classification of Heavy Ion Induced Failures in FPGA-based Logical Circuits
저자
by
Gao, Shuai
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
He, Ze
;
Liu, Jie
.
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2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON) ASIC (ASICON), 2021 IEEE 14th International Conference on. :1-4 Oct, 2021
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7 . Academic Journal
Radiation-enhanced gate-induced-drain-leakage current in the 130 nm partially-depleted SOI pMOSFET
저자
by
Peng, Chao
;
Hu, Zhiyuan
;
Ning, Bingxu
;
Dai, Lihua
;
Bi, Dawei
, et al.
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In
Solid State Electronics
April 2015 106:81-86
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7 . Academic Journal
Investigating the degradation mechanisms caused by the TID effects in 130 nm PDSOI I/O NMOS
저자
by
Peng, Chao
;
Hu, Zhiyuan
;
Zhang, Zhengxuan
;
Huang, Huixiang
;
Ning, Bingxu
, et al.
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In
Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A
1 June 2014 748:70-78
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7 . Academic Journal
Comprehensive study on the TID effects of 0.13 μm partially depleted SOI NMOSFETs
저자
by
Ning, Bingxu
;
Bi, Dawei
;
Huang, Huixiang
;
Zhang, Zhengxuan
;
Chen, Ming
, et al.
소스
In
Microelectronics Journal
February 2013 44(2):86-93
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7 . Conference
Large-tilt Heavy Ions Induced SEU in Multiple Radiation Hardened 22 nm FDSOI SRAMs
저자
by
Cai, Chang
;
Liu, Tianqi
;
Liu, Jie
;
Chen, Gengsheng
;
Ding, Luchang
, et al.
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2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2020 IEEE International. :1-5 Apr, 2020
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Analysis of bias effects on the total ionizing dose response in a 180 nm technology
저자
by
Liu, Zhangli
;
Hu, Zhiyuan
;
Zhang, Zhengxuan
;
Shao, Hua
;
Chen, Ming
, et al.
소스
In
Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A
11 July 2011 644(1):48-54
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