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1 . Academic Journal
Dependence of ion implantation: Induced defects on substrate doping.
저자
by
Kanemoto, Kei
;
Imaizumi, Fuminobu
;
Hamada, Tatsufumi
;
Tamai, Yukio
;
Nakada, Akira
, et al.
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Journal of Applied Physics
. 3/15/2001, Vol. 89 Issue 6, p3156. 6p. 3 Diagrams, 5 Graphs.
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7 . Academic Journal
Very High Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si(1 10) Surface.
저자
by
Teramoto, Akinobu
;
Hamada, Tatsufumi
;
Yamamoto, Masashi
;
Gaubert, Philippe
;
Akahori, Hiroshi
, et al.
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IEEE Transactions on Electron Devices
. Jun2007, Vol. 54 Issue 6, p1438-1445. 8p.
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7 . Academic Journal
Different mechanism to explain the 1/f noise in n- and p-SOI-MOS transistors fabricated on (110) and (100) silicon-oriented wafers.
저자
by
Gaubert, Philippe
;
Teramoto, Akinobu
;
Weitao Cheng
;
Hamada, Tatsufumi
;
Ohmi, Tadahiro
.
소스
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; Jan2009, Vol. 27 Issue 1, p394-401, 8p, 2 Charts, 9 Graphs
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7 . Academic Journal
1/f Noise Suppression of pMOSFETs Fabricated on Si(100) and Si(110) Using an Alkali-Free Cleaning Process.
저자
by
Gaubert, Philippe
;
Teramoto, Akinobu
;
Hamada, Tatsufumi
;
Yamamoto, Masashi
;
Kotani, Koji
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices
. Apr2006, Vol. 53 Issue 4, p851-856. 6p. 2 Diagrams, 2 Charts, 9 Graphs.
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7 . Academic Journal
Correspondence.
저자
by
Hamada, Tatsufumi
;
Saito, Yuji
;
Hirayama, Masaki
;
Sugawa, Sigetoshi
;
Aharoni, Herzl
, et al.
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IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
. Nov2001, Vol. 14 Issue 4, p418. 3p. 8 Graphs.
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7 . Academic Journal
Electric characteristics of Si3N4 films formed by directly radical nitridation on Si(110) and Si(100) surfaces
저자
by
Higuchi, Masaaki
;
Aratani, Takashi
;
Hamada, Tatsufumi
;
Shinagawa, Seiji
;
Nohira, Hiroshi
, et al.
소스
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
; APR 2007, 46 4B, p1895-p1898, 4p.
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7 . Academic Journal
Simultaneous Formation of a Metallic Mn Layer and a MnOx/MnSixOy Barrier Layer by Chemical Vapor Deposition at 250 degrees C
저자
by
Kurokawa, Atsuko
;
Sutou, Yuji
;
Koike, Junichi
;
Hamada, Tatsufumi
;
Matsumoto, Kenji
, et al.
소스
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
; MAY 2013, 52 5, pUNSP 05FA02 3p.
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7 . Periodical
Simultaneous Formation of a Metallic Mn Layer and a MnOx/MnSixOyBarrier Layer by Chemical Vapor Deposition at 250 °C
저자
by
Kurokawa, Atsuko
;
Sutou, Yuji
;
Koike, Junichi
;
Hamada, Tatsufumi
;
Matsumoto, Kenji
, et al.
소스
Japanese Journal of Applied Physics; May 2013, Vol. 52 Issue: 5 p05FA02-05FA03, 2p
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7 . Academic Journal
Simultaneous Formation of a Metallic Mn Layer and a MnOx/MnSixOy Barrier Layer by Chemical Vapor Deposition at 250 °C.
저자
by
Kurokawa, Atsuko
;
Sutou, Yuji
;
Koike, Junichi
;
Hamada, Tatsufumi
;
Matsumoto, Kenji
, et al.
소스
Japanese Journal of Applied Physics; May2013, Vol. 52 Issue 5S3, p1-1, 1p
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