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1 . Academic Journal
Gate protection for vertical gallium nitride trench MOSFETs: The buried field shield☆
저자
by
Andrew T. Binder
;
James A. Cooper
;
Jeffrey Steinfeldt
;
Andrew A. Allerman
;
Richard Floyd
, et al.
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e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 5, Iss , Pp 100218- (2023)
Full Text (ScienceDirect)
Open Access (DOAJ)
Full Text (ScienceDirect O/A)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Etched-and-Regrown GaN pn-Diodes With 1600 V Blocking Voltage
저자
by
Andrew M. Armstrong
;
Andrew A. Allerman
;
Greg W. Pickrell
;
Mary H. Crawford
;
Caleb E. Glaser
, et al.
소스
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 318-323 (2021)
Open Access (DOAJ)
Web of Science
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RefWorks
7 . Academic Journal
Operation Up to 500 °C of Al0.85Ga0.15N/Al0.7Ga0.3N High Electron Mobility Transistors
저자
by
Patrick H. Carey
;
Fan Ren
;
Albert G. Baca
;
Brianna A. Klein
;
Andrew A. Allerman
, et al.
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IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 444-452 (2019)
Open Access (DOAJ)
Web of Science
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RefWorks
7 .
Origins of epitaxial macro-terraces and macro-steps on GaN substrates
저자
by
Michael E. Liao
;
William L. Olsen
;
Kenny Huynh
;
Dorian P. Luccioni
;
Yekan Wang
, et al.
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Journal of Applied Physics
. 133
Full Text (AIP)
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RefWorks
7 .
Demonstration of >6.0-kV Breakdown Voltage in Large Area Vertical GaN p-n Diodes With Step-Etched Junction Termination Extensions
저자
by
Luke Yates
;
Brendan P. Gunning
;
Mary H. Crawford
;
Jeffrey Steinfeldt
;
Michael L. Smith
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices
. 69:1931-1937
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 .
Selective area regrowth and doping for vertical gallium nitride power devices: Materials challenges and recent progress
저자
by
Jung Han
;
Kai Fu
;
Andrew M. Armstrong
;
Hong Chen
;
Chen Yang
, et al.
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Materials Today
. 49:296-323
Web of Science
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RefWorks
7 .
Al0.7Ga0.3N MESFET With All-Refractory Metal Process for High Temperature Operation
저자
by
Andrew M. Armstrong
;
Andrew A. Allerman
;
Sanyam Bajaj
;
David R. Daughton
;
Siddharth Rajan
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices
. 68:4278-4282
Full Text (IEEE)
Web of Science
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RefWorks
7 .
Carrier Diffusion Lengths in Continuously Grown and Etched-and-Regrown GaN Pin Diodes
저자
by
Mary H. Crawford
;
A. Alec Talin
;
Andrew A. Allerman
;
François Léonard
;
Andrew M. Armstrong
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters
. 42:1041-1044
Full Text (IEEE)
Web of Science
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RefWorks
7 .
Analysis of ALD Dielectric Leakage in Bulk GaN MOS Devices
저자
by
Caleb E. Glaser
;
Andrew T. Binder
;
Luke Yates
;
Andrew A. Allerman
;
Daniel F. Feezell
, et al.
소스
2021 IEEE 8th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)
.
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RefWorks
7 .
The Structural Evolution of Dot-Core GaN Substrates with Annealing Under Growth-Like Conditions
저자
by
Kenny Huynh
;
Andrew A. Allerman
;
Michael E. Liao
;
Yekan Wang
;
Mark S. Goorsky
.
소스
ECS Transactions
. 98:15-20
Full Text (IOP)
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