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21 . Periodical
Gate Oxide Reliability of SiC MOSFETs and Capacitors Fabricated on 150mm Wafers
저자
by
Lichtenwalner, Daniel J.
;
Sabri, Shadi
;
van Brunt, Edward
;
Hull, Brett
;
Ganguly, Satyaki
, et al.
소스
Materials Science Forum; July 2019, Vol. 963 Issue: 1 p745-748, 4p
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27 . Periodical
15 kV n-GTOs in 4H-SiC
저자
by
Ryu, Sei Hyung
;
Lichtenwalner, Daniel J.
;
O’Loughlin, Michael
;
Capell, Craig
;
Richmond, Jim
, et al.
소스
Materials Science Forum; July 2019, Vol. 963 Issue: 1 p651-654, 4p
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RefWorks
27 . Periodical
Blocking Performance Improvements for 4H-SiC P-GTO Thyristors with Carrier Lifetime Enhancement Processes
저자
by
Ryu, Sei Hyung
;
Lichtenwalner, Daniel J.
;
O'Loughlin, Michael
;
van Brunt, Edward
;
Capell, Craig
, et al.
소스
Materials Science Forum; June 2018, Vol. 924 Issue: 1 p633-636, 4p
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RefWorks
27 . Periodical
Reliability of SiC Power Devices against Cosmic Ray Neutron Single-Event Burnout
저자
by
Lichtenwalner, Daniel J.
;
Akturk, Akin
;
McGarrity, James
;
Richmond, Jim
;
Barbieri, Thomas
, et al.
소스
Materials Science Forum; June 2018, Vol. 924 Issue: 1 p559-562, 4p
Scopus
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RefWorks
27 . Periodical
Performance and Reliability Impacts of Extended Epitaxial Defects on 4H-SiC Power Devices
저자
by
van Brunt, Edward
;
Burk, Albert
;
Lichtenwalner, Daniel J.
;
Leonard, Robert
;
Sabri, Shadi
, et al.
소스
Materials Science Forum; June 2018, Vol. 924 Issue: 1 p137-142, 6p
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RefWorks
27 . Academic Journal
Structure and chemistry of passivated SiC/SiO
2
interfaces.
저자
by
Dycus, J. Houston
;
Weizong Xu
;
Lichtenwalner, Daniel J.
;
Hull, Brett
;
Palmour, John W.
, et al.
소스
Applied Physics Letters
. 5/16/2016, Vol. 108 Issue 20, p201607-1-201607-5. 5p. 2 Diagrams, 3 Graphs.
Full Text (AIP)
Web of Science
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27 . Conference
Comparison of channel mobility and oxide properties of MOSFET devices on Si-face (0001) and A-face (11-20) 4H-SiC.
저자
by
Lichtenwalner, Daniel J.
;
Cheng, Lin
;
Allen, Scott
;
Palmour, John W.
;
Lelis, Aivars
, et al.
소스
MRS Online Proceedings Library; 2014, Vol. 1693 Issue 1, p25-30, 6p
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RefWorks
27 . Periodical
Impact of Carrier Lifetime Enhancement Using High Temperature Oxidation on 15 kV 4H-SiC P-GTO Thyristor
저자
by
Ryu, Sei Hyung
;
Lichtenwalner, Daniel J.
;
van Brunt, Edward
;
Capell, Craig
;
O’Loughlin, Michael J.
, et al.
소스
Materials Science Forum; May 2017, Vol. 897 Issue: 1 p587-590, 4p
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27 . Periodical
Next Generation Planar 1700 V, 20 mΩ 4H-SiC DMOSFETs with Low Specific On-Resistance and High Switching Speed
저자
by
Zhang, Q.J.
;
Wang, G.
;
Jonas, Charlotte
;
Capell, Craig
;
Pickle, Steve
, et al.
소스
Materials Science Forum; May 2017, Vol. 897 Issue: 1 p521-524, 4p
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RefWorks
27 . Periodical
Electrical Properties and Interface Structure of SiC MOSFETs with Barium Interface Passivation
저자
by
Lichtenwalner, Daniel J.
;
Dycus, J. Houston
;
Xu, Wei Zong
;
Lebeau, James M.
;
Hull, Brett
, et al.
소스
Materials Science Forum; May 2017, Vol. 897 Issue: 1 p163-166, 4p
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