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11 . Conference
Enhancement of memory window in short channel non-volatile memory devices using double layer tungsten nanocrystals
저자
by
Samanta, S.K.
;
Singh, P.K.
;
Won Jong Yoo
;
Samudra, G.
;
Yee-Chia Yeo
, et al.
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IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. International Electron Devices Meeting 2005 Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International. :170-173 2005
Full Text (IEEE)
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RefWorks
17 . Conference
Successful transferring of active transistors, rf-passive components and high density interconnect from bulk si to organic substrates
저자
by
Guo, L.H.
;
Zhang, Q.X.
;
Li, H.Y.
;
Liao, E.B.
;
Bera, L.K.
, et al.
소스
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. International Electron Devices Meeting 2005 Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International. :675-678 2005
Full Text (IEEE)
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RefWorks
17 . Conference
A comprehensive model for breakdown mechanism in HfO/sub 2/ high-k gate stacks
저자
by
Ranjan, R.
;
Pey, K.L.
;
Tung, C.H.
;
Tang, L.J.
;
Groeseneken, G.
, et al.
소스
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004. Electron devices meeting Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International. :725-728 2004
Full Text (IEEE)
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RefWorks
17 . Academic Journal
Electrical characterization of Si/Si 1− xGe x/Si quantum well heterostructures using a MOS capacitor
저자
by
Maikap, S.
;
Bera, L.K.
;
Ray, S.K.
;
John, S.
;
Banerjee, S.K.
, et al.
소스
In
Solid State Electronics
2000 44(6):1029-1034
Full Text (ScienceDirect)
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RefWorks
17 . Conference
Electrical characterization of rapid thermal oxides on Si/sub 0.887/Ge/sub 0.113/ and Si/sub 0.8811/Ge/sub 0.113/C/sub 0.0059/ alloys by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy techniques
저자
by
Feng, W.
;
Choi, W.K.
;
Bera, L.K.
;
Mi, J.
;
Yang, C.Y.
.
소스
2001 International Semiconductor Device Research Symposium. Symposium Proceedings (Cat. No.01EX497) Semiconductor device research Semiconductor Device Research Symposium, 2001 International. :486-489 2001
Full Text (IEEE)
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RefWorks
17 . Academic Journal
Random Telegraph Signal Noise in Gate-All-Around Si-FinFET With Ultranarrow Body
저자
by
Lim, Y.F.
;
Xiong, Y.Z.
;
Singh, N.
;
Yang, R.
;
Jiang, Y.
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 27(9):765-768 Sep, 2006
Full Text (IEEE)
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RefWorks
17 . Academic Journal
Bendability of single-crystal Si MOSFETs investigated on flexible substrate
저자
by
Li, H.Y.
;
Guo, L.H.
;
Loh, W.Y.
;
Bera, L.K.
;
Zhang, Q.X.
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 27(7):538-541 Jul, 2006
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RefWorks
17 . Academic Journal
A dual-strained CMOS structure through simultaneous formation of relaxed and compressive strained-SiGe-on-insulator
저자
by
Bera, L.K.
;
Mukherjee-Roy, M.
;
Abidha, B.
;
Agarwal, A.
;
Loh, W.Y.
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 27(5):350-353 May, 2006
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RefWorks
17 . Academic Journal
High-performance fully depleted silicon nanowire (diameter /spl les/ 5 nm) gate-all-around CMOS devices
저자
by
Singh, N.
;
Agarwal, A.
;
Bera, L.K.
;
Liow, T.Y.
;
Yang, R.
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 27(5):383-386 May, 2006
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RefWorks
17 . Academic Journal
The impact of uniform strain applied via bonding onto plastic substrate on MOSFET performance
저자
by
Bera, L.K.
;
Loh, W.Y.
;
Guo, L.H.
;
Zhang, X.W.
;
Lo, G.Q.
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 27(1):58-61 Jan, 2006
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