본 논문에서는 HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer) 태양전지에 emitter 층으로 사용되는 (p) a-Si:H의 낮은 광학적 특성(낮은 투과도, 높은 흡수)과 bandgap(1.7~1.8 eV)으로 인한 front side에서의 parasitic absorption에 의한 광학적 손실을 개선하고자 실리콘 solar cell의 이론적 효율에 다가가기 위해서 carrier들의 recombination은 줄이고 collection은 효율적이게 하는 CSC(Carrier selective Contacts) 개념을 도입하여 HIT 태양전지에 적용 하였다. 이를 위해 높은 일함수와 wide bandgap 물질인 TMO(Transition Metal Oxide) 물질 중 Molybdenum oxide를 적용하여 intrinsic layer와의 접합 시 barrier height를 낮춰 hole extraction을 용이하게 하였다. Molybdenum oxide를 thermal evaporation으로 증착하여 두께, annealing 온도, annealing ambient treatment 가변 실험을 진행하여 MoOx 박막과 TMO/HIT cell의 광학적 전기적 특성을 분석하였다. 또, Molybdenum Oxide 박막의 Oxygen deficiency를 XPS로 분석하여 Composition Ratio에 따른 Cell 특성 분석을 하였다. 그 결과 Voc 686 mV, Jsc 38.95 mA/cm2, F.F 74.02%, 효율 19.78%를 기록하였다.