투명전극에 사용할 목적으로 스핀코팅법으로 유리기판에 주석 도핑 산화구리 박막(SnO2:CuO)을 제조한 후 구조적, 광학적, 전기적 특성에 대한 연구를 하였다. 박막 시편에 대해 XRD, EDX, SEM, 홀측정 및 가시광선 분광기를 사용하여 여러가지 특성을 측정하였다. XRD 분석결과 박막 시편에서 산화구리 단일상의 구조가 나타남을 확인하였으며, 주석의 도핑량이 1.5 wt%인 경우, 가장 우수한 특성을 나타냈다. SnO2:CuO 박막의 연구에서 주석의 도핑량이 0~2.0 wt%로 증가할 때, 1.5 wt%까지는 에너지 밴드갭이 작아지다가 그 이후는 증가하였다. 주석의 도핑량이 1.5 wt%인 시편의 경우, 에너지 밴드갭은 1.95 eV로 가장 낮게 나타났으며, 전기비저항은 47.4 Ω·cm로 가장 낮게 나타났다. 주석을 도핑한 산화구리 박막은 향후 투명전극의 재료로 활용 가능함을 알있다.