본 논문은 0.5-μm GaAs 공정을 이용한 3.5 GHz 대역 도허티 전력 증폭기 설계에 관한 내용이다. 설계는 로드-풀 시뮬레이션을 통해 최적화되어 높은 선형성을 유지하기 위해 피킹 증폭기의 출력에 2차 고조파 차단 필터를 이용하였다. 제작된 전력 증폭기 측정 결과, 3.5 GHz 대역에서 27.8 dBm의 최대 포화 전력, 34.3 %의 power-added afficiency(PAE)를가진다. 또한 5G NR 64-QAM 100 MHz 변조신호 인가 시, 22 dBm의 EVM 5.6 % 선형 출력 전력과 23.1 %의 선형 출력전력 부가 효율을 달성한다.
This paper discusses the design of a 3.5-GHz band Doherty power amplifier using a 0.5-μm GaAs process. The design was optimized through load-pull simulations, employing the second harmonic trap filter at the output of the peaking amplifier to maintain high linearity. Measurement results of the fabricated power amplifier showed a maximum saturated power of 27.8 dBm and power-added afficiency (PAE) of 34.3 % in the 3.5 GHz band. Additionally, with a 5G NR 64-QAM 100-MHz modulated signal, it achieved a linear output power of 22 dBm with an EVM of 5.6 % and a linear output power added efficiency of 19.8 %.