Clarification of crystal orientation dependence of strain-induced transport modulation driven by electrostatic attractive force in VO2 freestanding nanowire transistors / VO2 フリースタンディングナノ細線を用いた静電引力歪み制御による電気伝導変調の結晶方位依存性解明
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :1425
- Subject
18p-223-11 nanowire strain transistor エレクトロニクス機能探索 トランジスタ ナノワイヤ 歪み 薄膜・表面 酸化物エレクトロニクス - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613