基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究 / Raman Scattering Studies on CVD Grown Cubic SiC Thin Films on Si
- Resource Type
- Academic Journal
- Authors
- 陈帅; 谢灯; 丘志仁; Tin Chin-Che; 王洪朝; 梅霆; 万玲玉; 冯哲川
- Source
- 光散射学报 / Chinese Journal of Light Scattering. 28(2):125-130
- Subject
- 3C碳化硅
光谱椭偏仪
拉曼散射
厚度
3C-SiC
spectroscopic ellipsometry
Raman scattering
thickness
- Language
- Chinese
- ISSN
- 1004-5929
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上.本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究.根据SE的分析获得3C-SiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度.结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响.