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1 . Academic Journal
A Compact Physics-Based Surface Potential and
Drain
Current Model for an
S
/D Spacer-Based DG-RFET
저자
by
Bhattacharjee, A.
;
Dasgupta, S.
.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(2):448-455 Feb, 2018
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4 . Conference
A Systematic Study of HCI Improvement in FinFET with Source/
Drain
Implant and Geometry Modulation
저자
by
Ranjan, Rakesh
;
Perepa, Pavitra R.
;
Lee, Ki-Don
;
Jha, Ashish K.
;
Sahoo, Kartika C.
, et al.
소스
2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024 IEEE. :5A.1-1-5A.1-6 Apr, 2024
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RefWorks
7 . Academic Journal
Impact of the Si Content on the Electrical Properties of NiSixGe1–x Source/
Drain
Contact Metal for Ge pMOSFETs
저자
by
Zeng, S.
;
Li, Y.
;
Zhang, R.
.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(11):5742-5746 Nov, 2021
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5 . Academic Journal
The Paul-Leahy Justice Safety Valve Act of 2013
S
. 619: Preventing Lives and Money from Being Lost down the
Drain
저자
by
Gill, Molly M.
.
소스
26 Fed. Sent'g Rep. 94 (December 2013) / Federal Sentencing Reporter, Vol. 26, Issue 2 (December 2013), pp. 94-101
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3 . Academic Journal
Effects of Asymmetric Source-
Drain
Electrodes and Their Modifications on the Operation of Organic Phototransistors
저자
by
Jiang, C.
;
Liu, C.
;
Hu, G.
;
Wang, X.
;
Zhang, N.
, et al.
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IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(1):92-95 Jan, 2023
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7 . Conference
Demonstration of Mos2 Memtransistor with Poly-Si Source/
Drain
Featuring Tunable Conductance States and Boosted ION
저자
by
Li, K. S.
;
Huang, M. K.
;
Wang, Y. H.
;
Tseng, Y. C.
;
Su, C. J.
.
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2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2023 7th IEEE. :1-3 Mar, 2023
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RefWorks
7 . Academic Journal
Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/
Drain
Contact
저자
by
Kawanago, T.
;
Kajikawa, R.
;
Mizutani, K.
;
Tsai, S.
;
Muneta, I.
, et al.
소스
IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 11:15-21 2023
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RefWorks
7 . Academic Journal
A Comprehensive Study of a Single-Transistor Latch in Vertical Pillar-Type FETs With Asymmetric Source and
Drain
저자
by
Lee, S.
;
Kim, S.
;
Hwang, K.
;
Jin, I.K.
;
Hur, J.
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(11):5208-5212 Nov, 2018
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RefWorks
7 . Academic Journal
Metal Source-/
Drain
-Induced Performance Boosting of Sub-7-nm Node Nanosheet FETs
저자
by
Yoon, J.
;
Jeong, J.
;
Lee, S.
;
Baek, R.
.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(4):1868-1873 Apr, 2019
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RefWorks
6 . Academic Journal
S
-TAT Leakage Current in Partial Isolation Type Saddle-FinFET (Pi-FinFET)
s
저자
by
Park, J.H.
;
Kim, G.
;
Kim, D.Y.
;
Kim, S.Y.
;
Yoo, S.
, et al.
소스
IEEE Access Access, IEEE. 9:111567-111575 2021
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