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1 . Conference
First-principles investigation of amorphous n-type In2 O3 for BEOL transistor
저자
by
Hu, Yaoqiao
;
Chakraborty, Wriddhi
;
Ye, Huacheng
;
Datta, Suman
;
Cho, Kyeongjae
.
소스
2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2021 International Conference on. :116-119 Sep, 2021
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Conference
Theoretical and Empirical Insight into Dopant, Mobility and Defect States in W Doped Amorphous In2 O3 for High-Performance Enhancement Mode BEOL Transistors
저자
by
Hu, Yaoqiao
;
Ye, Huacheng
;
Aabrar, Khandker Akif
;
Kirtania, Sharadindu Gopal
;
Chakraborty, Wriddhi
, et al.
소스
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2022 International. :8.5.1-8.5.4 Dec, 2022
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Conference
Low-Frequency Noise Characteristics of BEOL-Compatible IWO Transistor
저자
by
Luo, Yuan-Chun
;
Ye, Huacheng
;
Chakraborty, Wriddhi
;
Hur, Jae
;
Ravindran, Prasanna Venkatesan
, et al.
소스
2022 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2022 IEEE. :1-2 Jun, 2022
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Report
Logic Compatible High-Performance Ferroelectric Transistor Memory
저자
by
Dutta, Sourav
;
Ye, Huacheng
;
Khanna, Abhishek
;
Luo, Yuan-Chun
;
Pentecost, Lillian
, et al.
소스
Open Access (Arxiv)
Find it @ DONGA
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RefWorks
7 . Conference
Computational Associative Memory Based on Monolithically Integrated Metal-Oxide Thin Film Transistors for Update-Frequent Search Applications
저자
by
Zhao, Zijian
;
Gomez, Jorge
;
Ye, Huacheng
;
Imani, Mohsen
;
Yin, Xunzhao
, et al.
소스
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2021 IEEE International. :37.6.1-37.6.4 Dec, 2021
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Conference
BEOL Compatible Superlattice FerroFET-based High Precision Analog Weight Cell with Superior Linearity and Symmetry
저자
by
Aabrar, Khandker Akif
;
Gomez, Jorge
;
Kirtania, Sharadindu Gopal
;
Jose, Matthew San
;
Luo, Yandong
, et al.
소스
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2021 IEEE International. :19.6.1-19.6.4 Dec, 2021
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Conference
BEOL Compatible Dual-Gate Ultra Thin-Body W-Doped Indium-Oxide Transistor with Ion = 370μA/μm, SS = 73mV/dec and Ion /Ioff Ratio > 4×109
저자
by
Chakraborty, Wriddhi
;
Grisafe, Benjamin
;
Ye, Huacheng
;
Lightcap, Ian
;
Ni, Kai
, et al.
소스
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology VLSI Technology, 2020 IEEE Symposium on. :1-2 Jun, 2020
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Conference
Examination of the Interplay Between Polarization Switching and Charge Trapping in Ferroelectric FET
저자
by
Deng, Shan
;
Jiang, Zhouhang
;
Dutta, Sourav
;
Ye, Huacheng
;
Chakraborty, Wriddhi
, et al.
소스
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2020 IEEE International. :4.4.1-4.4.4 Dec, 2020
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RefWorks
7 . Conference
Equivalent Oxide Thickness (EOT) Scaling With Hafnium Zirconium Oxide High-κ Dielectric Near Morphotropic Phase Boundary
저자
by
Ni, Kai
;
Saha, Atanu
;
Chakraborty, Wriddhi
;
Ye, Huacheng
;
Grisafe, Benjamin
, et al.
소스
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2019 IEEE International. :7.4.1-7.4.4 Dec, 2019
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Conference
A Novel Ferroelectric Superlattice Based Multi-Level Cell Non-Volatile Memory
저자
by
Ni, Kai
;
Smith, Jeffrey
;
Ye, Huacheng
;
Grisafe, Benjamin
;
Rayner, G. Bruce
, et al.
소스
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2019 IEEE International. :28.8.1-28.8.4 Dec, 2019
Full Text (IEEE)
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