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RefWorks
1 . Academic Journal
Synthesis of relaxed Ge0.9Sn0.1/Ge by nanosecond pulsed laser melting
저자
by
Di Russo, Enrico
;
Sgarbossa, Francesco
;
Ranieri, Pierpaolo
;
Maggioni, Gianluigi
;
Ndiaye, Samba
, et al.
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In
Applied Surface Science
1 March 2023 612
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RefWorks
7 . Report
Effect of extended defects on AlGaN QDs for electron-pumped UV-emitters
저자
by
Cañas, Jesus
;
Rochat, Névine
;
Grenier, Adeline
;
Jannaud, Audrey
;
Saghi, Zineb
, et al.
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RefWorks
7 . Academic Journal
Studying phase change memory devices by coupling scanning precession electron diffraction and energy dispersive X-ray analysis
저자
by
Henry, Loïc
;
Bernier, Nicolas
;
Jacob, Martin
;
Navarro, Gabriele
;
Clément, Laurent
, et al.
소스
In
Acta Materialia
December 2020 201:72-78
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RefWorks
7 . Report
Mapping domain junctions using 4D-STEM: toward controlled properties of epitaxially grown transition metal dichalcogenide monolayers
저자
by
Dosenovic, Djordje
;
Dechamps, Samuel
;
Vergnaud, Celine
;
Pasko, Sergej
;
Krotkus, Simonas
, et al.
소스
Open Access (Arxiv)
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RefWorks
7 . Academic Journal
High quality epitaxial fluorine-doped SnO2 films by ultrasonic spray pyrolysis: Structural and physical property investigation
저자
by
Zhang, Shan-Ting
;
Rouvière, Jean-Luc
;
Consonni, Vincent
;
Roussel, Hervé
;
Rapenne, Laetitia
, et al.
소스
In
Materials & Design
15 October 2017 132:518-525
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RefWorks
7 . Report
The influence of illumination conditions in the measurement of built-in electric field at p-n junctions by 4D-STEM
저자
by
da Silva, Bruno C
;
Momtaz, Zahra S
;
Bruas, Lucas
;
Rouviére, Jean-Luc
;
Okuno, Hanako
, et al.
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Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2022, 121 (12), pp.123503
Open Access (Arxiv)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Quantitative Scanning Transmission Electron Microscopy–High‐Angle‐Annular Dark‐Field Study of the Structure of Pseudo‐2D Sb2Te3 Films Grown by (Quasi) Van der Waals Epitaxy.
저자
by
Sever, Vitomir
;
Bernier, Nicolas
;
Térébénec, Damien
;
Sabbione, Chiara
;
Paterson, Jessy
, et al.
소스
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
. Jan2024, p1. 11p. 7 Illustrations, 2 Charts.
Web of Science
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RefWorks
7 . Report
Assessment of active dopants and p-n junction abruptness using in-situ biased 4D-STEM
저자
by
da Silva, Bruno C.
;
Momtaz, Zahra S.
;
Monroy, Eva
;
Okuno, Hanako
;
Rouviere, Jean-Luc
, et al.
소스
Open Access (Arxiv)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Inhomogeneous spatial distribution of non radiative recombination centers in GaN/InGaN nanowire heterostructures studied by cathodoluminescence.
저자
by
Concordel, Alexandre
;
Rochat, Névine
;
Quach, Anh My Naht
;
Rouvière, Jean-Luc
;
Jacopin, Gwénolé
, et al.
소스
Nanotechnology
. 12/3/2023, Vol. 34 Issue 49, p1-7. 7p.
Full Text (IOP)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Ultrathin GaN quantum wells in AlN nanowires for UV-C emission.
저자
by
Vermeersch, Rémy
;
Jacopin, Gwénolé
;
Castioni, Florian
;
Rouvière, Jean-Luc
;
García-Cristóbal, Alberto
, et al.
소스
Nanotechnology
. 7/2/2023, Vol. 34 Issue 27, p1-9. 9p.
Full Text (IOP)
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