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1 .
Stress Relaxation in SGOI Structure Obtained by Condensation
저자
by
Anne-Flore Mallet
;
Olivier Gourhant
;
Christophe Duluard
;
Isabelle Berbezier
;
Luc Favre
.
소스
ECS Transactions
. 109:261-267
Full Text (IOP)
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RefWorks
7 .
Relaxation Dynamics of Heteroepitaxial Films on Mesa-Strip Designs
저자
by
Kennet D. R. Hannikainen
;
fabien deprat
;
olivier gourhant
;
Isabelle Berbezier
;
jean-noel aqua
.
소스
SSRN Electronic Journal
.
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RefWorks
7 .
Engineering Epitaxy and Condensation: Fabrication of Ge Nanolayers, Mechanism and Applications
저자
by
Mohamed Bouabdellaoui
;
Monica Bollani
;
Marco Salvalaglio
;
Elie Assaf
;
Luc Favre
, et al.
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RefWorks
7 .
Local defect-free elastic strain relaxation of Si1-xGex embedded into SiO2
저자
by
Elie Assaf
;
Isabelle Berbezier
;
Mohammed Bouabdellaoui
;
Marco Abbarchi
;
Antoine Ronda
, et al.
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Applied Surface Science
Applied Surface Science, 2022, 590, pp.153015. ⟨10.1016/j.apsusc.2022.153015⟩
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RefWorks
7 .
(Invited) UTBB FDSOI PMOSFETs Including Strained SiGe Channels at the 14nm Technology Node and Beyond
저자
by
Simeon Morvan
;
E. Baylac
;
Emmanuel Josse
;
Michel Haond
;
Cyrille Le Royer
, et al.
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ECS Transactions
. 75:3-14
Full Text (IOP)
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RefWorks
7 .
Influence of oxide density on O 2 diffusivity in thermally grown SiO 2 on Si and SiGe and on oxidation kinetics
저자
by
François Bertin
;
Nicolas Jaouen
;
Elisabeth Blanquet
;
Fabien Rozé
;
Olivier Gourhant
, et al.
소스
Semiconductor Science and Technology
Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (6), pp.065023. ⟨10.1088/1361-6641/ab1228⟩
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2019, 34 (6), pp.065023. ⟨10.1088/1361-6641/ab1228⟩
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RefWorks
7 .
Crystal quality of SiGe films fabricated by the condensation technique and characterized by medium energy ion scattering
저자
by
Olivier Gourhant
;
Elisabeth Blanquet
;
Fabien Rozé
;
François Bertin
;
Denis Rouchon
, et al.
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Semiconductor Science and Technology
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2019, 34 (6), pp.065005. ⟨10.1088/1361-6641/ab171c⟩
Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (6), pp.065005. ⟨10.1088/1361-6641/ab171c⟩
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RefWorks
7 .
Reduced oxygen partial pressure SiGe condensation for the fabrication of compressively strained SGOI substrates
저자
by
Damien Valenducq
;
F. Abbate
;
Denis Rouchon
;
Fabien Deprat
;
Olivier Gourhant
, et al.
소스
2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
.
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7 .
SiGe-enhanced Si capacitive modulator integration in a 300 mm silicon photonics platform for low power consumption
저자
by
Remi Beneyton
;
Laurent Vivien
;
Sebastien Kerdiles
;
Delphine Marris-Morini
;
Philippe Grosse
, et al.
소스
Optics Express
Open Access (OpenAIRE)
Web of Science
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7 .
Gate oxide degradation assessment by electrical stress and capacitance measurements
저자
by
Olivier Gourhant
;
Pascal Masson
;
Franck Julien
;
Jerome Goy
;
Giada Ghezzi
, et al.
소스
2018 International Integrated Reliability Workshop (IIRW)
.
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