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1 . Conference
A pseudo-memcapacitive neurotransistor for spiking neural networks
저자
by
Schroedter, Richard
;
Demirkol, Ahmet Samil
;
Ascoli, Alon
;
Max, Benjamin
;
Nebe, Florian
, et al.
소스
2023 12th International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies (MOCAST) Modern Circuits and Systems Technologies (MOCAST), 2023 12th International Conference on. :1-5 Jun, 2023
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RefWorks
7 . Conference
Reducing the tunneling barrier thickness of bilayer ferroelectric tunnel junctions with metallic electrodes
저자
by
Lancaster, Suzanne
;
Segatto, Mattia
;
Silva, Claudia
;
Max, Benjamin
;
Mikolajick, Thomas
, et al.
소스
2023 Device Research Conference (DRC) 2023 Device Research Conference (DRC), 2023. :1-2 Jun, 2023
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
High Gain Graphene Based Hot Electron Transistor with Record High Saturated Output Current Density.
저자
by
Strobel, Carsten
;
Chavarin, Carlos A.
;
Knaut, Martin
;
Völkel, Sandra
;
Albert, Matthias
, et al.
소스
Advanced Electronic Materials; Feb2024, Vol. 10 Issue 2, p1-7, 7p
Open Access (Wiley)
Web of Science
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RefWorks
7 . Conference
Reliability aspects of ferroelectric hafnium oxide for application in non-volatile memories
저자
by
Mulaosmanovic, Halid
;
Lomenzo, Patrick D.
;
Schroeder, Uwe
;
Slesazeck, Stefan
;
Mikolajick, Thomas
, et al.
소스
2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2021 IEEE International. :1-6 Mar, 2021
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Report
Hafnia-based Double Layer Ferroelectric Tunnel Junctions as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing
저자
by
Max, Benjamin
;
Hoffmann, Michael
;
Mulaosmanovic, Halid
;
Slesazeck, Stefan
;
Mikolajick, Thomas
.
소스
ACS Applied Electronic Materials 2 12 2020 4023-4033
Open Access (Arxiv)
Find it @ DONGA
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RefWorks
7 . Conference
Uniting The Trinity of Ferroelectric HfO2 Memory Devices in a Single Memory Cell
저자
by
Slesazeck, Stefan
;
Havel, Viktor
;
Breyer, Evelyn
;
Mulaosmanovic, Halid
;
Hoffmann, Michael
, et al.
소스
2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW) Memory Workshop (IMW), 2019 IEEE 11th International. :1-4 May, 2019
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 . Conference
Retention Characteristics of Hf0.5Zr0.5O2-Based Ferroelectric Tunnel Junctions
저자
by
Max, Benjamin
;
Mikolajick, Thomas
;
Hoffmann, Michael
;
Slesazeck, Stefan
.
소스
2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW) Memory Workshop (IMW), 2019 IEEE 11th International. :1-4 May, 2019
Full Text (IEEE)
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RefWorks
6 . Book
Chapter 8 - MOx in ferroelectric memories
저자
by
Slesazeck, Stefan
;
Mulaosmanovic, Halid
;
Hoffmann, Michael
;
Schroeder, Uwe
;
Mikolajick, Thomas
, et al.
소스
In
Metal Oxides for Non-volatile Memory
2022:245-279
Full Text (ScienceDirect)
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RefWorks
7 . Conference
Ferroelectric Tunnel Junctions based on Ferroelectric-Dielectric Hf0.5Zr0.5.O2/ A12O3Capacitor Stacks
저자
by
Max, Benjamin
;
Hoffmann, Michael
;
Slesazeck, Stefan
;
Mikolajick, Thomas
.
소스
2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2018 48th European. :142-145 Sep, 2018
Full Text (IEEE)
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RefWorks
6 .
Contributors
저자
by
Antonov, I.N.
;
Belov, A.I.
;
Bonafos, C.
;
Brivio, S.
;
Cario, Laurent
, et al.
소스
In
Metal Oxides for Non-volatile Memory
2022:ix-xi
Full Text (ScienceDirect)
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