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1 . Academic Journal
Local leakage current analysis for dislocations in Na flux GaN single crystals / NaフラックスGaN単結晶内の孤立転位に起因した局所漏れ電流特性評価
저자
by
Mamoru Imade
;
Masayuki Imanishi
;
Sakai Akira
;
Shotaro Takeuti
;
Takeaki Hamachi
, et al.
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JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3358
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RefWorks
7 . Academic Journal
Local piezoelectric analysis in Na flux GaN single crystals by piezo-response microscopy / 圧電応答顕微鏡法によるNaフラックスGaN単結晶の局所圧電物性解析
저자
by
Akira Sakai
;
Akira Ueda
;
Mamoru Imade
;
Masayuki Imanishi
;
Shotaro Takeuchi
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3359
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Effects of the PS-GaN square on the bowing of GaN wafer fabricated using the sapphire dissolution technique in the Na-flux growth / Naフラックスサファイア溶解法においてポイントシード面積がGaN結晶反りに与える影響
저자
by
Kanako Okumura
;
Keisuke Kakinouchi
;
Kosuke Murakami
;
Kosuke Nakamura
;
Mamoru Imade
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3349
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Growth of thick semi-polar GaN crystal to improve crystalinity by Na-flux method. / 高品質化に向けた半極性面GaN結晶のNaフラックス法による厚膜成長
저자
by
DoHun Kim
;
Kosuke Murakami
;
Mamoru Imade
;
Masashi Yoshimura
;
Masayuki Imanishi
, et al.
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JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3348
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
OVPE法によるGaN厚膜成長に向けた寄生成長の抑制 / Suppression of parasitic deposition for thick-GaN growth by Oxide Vapor Phase Epitaxy
저자
by
Akira Kitamoto
;
Keiju Ishibashi
;
Mamoru Imade
;
Masashi Isemura
;
Masashi Yoshimura
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3347
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RefWorks
7 . Academic Journal
フラックス法におけるGaN結晶成長促進機構の解明
저자
by
Mamoru Imade
;
Minoru Kawahara
;
Takahiro Kawamura
;
Yoshitada Morikawa
;
Yusuke Mori
, et al.
소스
Proceedings of JSPE Semestrial Meeting. 2017, :259
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RefWorks
7 . Academic Journal
GaN crystal growth technique by Na flux method for reducing dislocation / 転位低減に向けたNaフラックス法によるGaN結晶育成技術の新展開
저자
by
Mamoru Imade
;
Masashi Yoshimura
;
Masayuki Imanishi
;
Yusuke Mori
;
今出 完
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :344
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
OVPE成長条件下におけるGaN表面構造およびO不純物の脱離エネルギーの解析 / Stable Surface Structures of GaN Under OVPE Growth Conditions and Desorption Energy of Oxygen Impurities
저자
by
Akira Kitamoto
;
Koichi Kakimoto
;
Mamoru Imade
;
Masashi Yoshimura
;
Takahiro Kawamura
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3624
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Naフラックスサファイア溶解法における再成長を用いたGaN結晶中Li不純物の低減 / Reduction of Li impurity in the GaN wafer fabricated using the sapphire dissolution technique in the Na-flux growth by regrowth in the flux without Li
저자
by
Kosuke Murakami
;
Kosuke Nakamura
;
Mamoru Imade
;
Masashi Yoshimura
;
Masayuki Imanishi
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3603
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Effect of the oxygen concentration on electrical properties of GaN crystals grown the Na-flux method. / Naフラックス法で作製したGaN結晶における酸素濃度が電気特性に与える影響
저자
by
Hitoshi Kubo
;
Kiyoto Endo
;
Kosuke Murakami
;
Mamoru Imade
;
Masashi Yoshimura
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3562
Open Access (JSTAGE)
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