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1 . Academic Journal
Investigation of low to high-dose gamma-ray (γ-ray) radiation effects on indium-zinc-oxide (IZO) thin film transistor (TFT)
저자
by
Kim, Do-Kywn
;
Kim, Dong-Seok
;
Kim, Tae-Eon
;
Kim, Min-Ju
;
Shin, Seung Heon
.
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Solid State Electronics
May 2024 215
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7 . Academic Journal
Performance of flexible In0.7Ga0.3As MOSFETs by utilizing liquid polyimide (LPI) transfer with effective mobility of 3,667 cm2/V-s
저자
by
Kim, Do-Kywn
;
Park, Saungeun
;
Shim, Jae-Phil
;
Shin, Seung Heon
.
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In
Solid State Electronics
August 2023 206
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RefWorks
6 . Academic Journal
Effects of series resistance and interface properties on the operation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
저자
by
Jeon, Dae-Young
;
Kim, Do-Kywn
;
Park, So Jeong
;
Koh, Yumin
;
Cho, Chu-Young
, et al.
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In
Microelectronic Engineering
5 November 2018 199:40-44
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7 . Academic Journal
Performance and carrier transport analysis of In0.7Ga0.3As quantum-well MOSFETs with Al2O3/HfO2 gate stack
저자
by
Son, Seung-Woo
;
Park, Jung-Ho
;
Baek, Ji-Min
;
Kim, Jin Su
;
Kim, Do-Kywn
, et al.
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In
Solid State Electronics
September 2016 123:63-67
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7 . Academic Journal
Temperature-dependent characteristics of AlGaN/GaN FinFETs with sidewall MOS channel
저자
by
Im, Ki-Sik
;
Kang, Hee-Sung
;
Kim, Do-Kywn
;
Vodapally, Sindhuri
;
Park, YoHan
, et al.
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In
Solid State Electronics
June 2016 120:47-51
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7 . Academic Journal
Performance of AlGaN/GaN MISHFET using dual-purpose thin Al2O3 layer for surface protection and gate insulator
저자
by
Kim, Do-Kywn
;
Sindhuri, V.
;
Jo, Young-Woo
;
Kim, Dong-Seok
;
Kang, Hee-Sung
, et al.
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In
Solid State Electronics
October 2014 100:11-14
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7 . Academic Journal
Normally-off GaN MOSFETs on insulating substrate
저자
by
Kim, Dong-Seok
;
Im, Ki-Sik
;
Kim, Ki-Won
;
Kang, Hee-Sung
;
Kim, Do-Kywn
, et al.
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In
Solid State Electronics
December 2013 90:79-85
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7 . Academic Journal
Demonstration of High Performance Flexible In 0.7 Ga 0.3 As MOSFETs Using Liquid Polyimide (LPI) Transfer.
저자
by
Park, Saungeun
;
Kim, Do-Kywn
;
Cho, Young-Dae
;
Shim, Jae-Phil
;
Shin, Chan-Soo
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters; Jun2022, Vol. 43 Issue 6, p858-861, 4p
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7 . Academic Journal
Instability investigation of In0.7Ga0.3As quantum-well MOSFETs with Al2O3 and Al2O3/HfO2
저자
by
Kwon, Hyuk-Min
;
Kim, Do-Kywn
;
Lim, Sung-Kyu
;
Hwang, Hae-Chul
;
Son, Seung Woo
, et al.
소스
In
Solid State Electronics
July 2016 121:16-19
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7 . Academic Journal
High-performance logic transistor DC benchmarking toward 7 nm technology-node between III–V and Si tri-gate n-MOSFETs using virtual-source injection velocity model
저자
by
Baek, Rock-Hyun
;
Kim, Jin Su
;
Kim, Do-Kywn
;
Kim, Taewoo
;
Kim, Dae-Hyun
.
소스
In
Solid State Electronics
February 2016 116:100-103
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