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1 . Academic Journal
An ASM-HEMT for Large-Signal Modeling of GaN HEMTs in High-Temperature Applications
저자
by
Nicholas C. Miller
;
Alexis Brown
;
Michael Elliott
;
Ryan Gilbert
;
Devin T. Davis
, et al.
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IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 531-538 (2023)
Open Access (DOAJ)
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7 . Academic Journal
Homoepitaxial β-Ga2O3 transparent conducting oxide with conductivity σ = 2323 S cm−1
저자
by
Hyung Min Jeon
;
Kevin D. Leedy
;
David C. Look
;
Celesta S. Chang
;
David A. Muller
, et al.
소스
APL Materials, Vol 9, Iss 10, Pp 101105-101105-8 (2021)
Open Access (DOAJ)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Si content variation and influence of deposition atmosphere in homoepitaxial Si-doped β-Ga2O3 films by pulsed laser deposition
저자
by
Kevin D. Leedy
;
Kelson D. Chabak
;
Vladimir Vasilyev
;
David C. Look
;
Krishnamurthy Mahalingam
, et al.
소스
APL Materials, Vol 6, Iss 10, Pp 101102-101102-10 (2018)
Open Access (DOAJ)
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7 .
Transient Thermal Management of a β-Ga₂O₃ MOSFET Using a Double-Side Diamond Cooling Approach
저자
by
Samuel H. Kim
;
Daniel Shoemaker
;
Andrew J. Green
;
Kelson D. Chabak
;
Kyle J. Liddy
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices
. 70:1628-1635
Full Text (IEEE)
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7 .
Experimentally Validated Gate-Lag Simulations of AlGaN/GaN HEMTs Using Fermi Kinetics Transport
저자
by
Nicholas C. Miller
;
Matt Grupen
;
Ahmad E. Islam
;
John D. Albrecht
;
Dave Frey
, et al.
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IEEE Transactions on Electron Devices
. 70:435-442
Full Text (IEEE)
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RefWorks
7 .
Defect Engineering at the Al2O3/(010) β-Ga2O3 Interface via Surface Treatments and Forming Gas Post-Deposition Anneals
저자
by
Ahmad Ehteshamul Islam
;
Chenyu Zhang
;
Kursti DeLello
;
David A. Muller
;
Kevin D. Leedy
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices
. 69:5656-5663
Full Text (IEEE)
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7 .
Scaled T-Gate β-Ga2O3 MESFETs With 2.45 kV Breakdown and High Switching Figure of Merit
저자
by
Daniel M. Dryden
;
Kyle J. Liddy
;
Ahmad E. Islam
;
Jeremiah C. Williams
;
Dennis E. Walker
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters
. 43:1307-1310
Full Text (IEEE)
Open Access (OpenAIRE)
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RefWorks
7 .
Future Prospect of β-Ga2O3: Materials, Devices and Circuit Applications
저자
by
Andrea Arias-Purdue
;
Vivek Mehrotra
;
Charles Neft
;
Kelson D. Chabak
;
Andrew J. Green
, et al.
소스
Ultrawide Bandgap β-Ga2O3 Semiconductor ISBN: 9780735425033
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7 .
Thermally-Aware Layout Design of β-Ga₂O₃ Lateral MOSFETs
저자
by
Samuel H. Kim
;
Daniel Shoemaker
;
Bikramjit Chatterjee
;
Andrew J. Green
;
Kelson D. Chabak
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices
. 69:1251-1257
Full Text (IEEE)
Web of Science
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RefWorks
7 .
First Demonstration of 500 °C Operation of β-Ga2O3 MOSFET in Air
저자
by
Nicholas P. Sepelak
;
Jeremiah Williams
;
Daniel M. Dryden
;
Rachel Kahler
;
Kyle J. Liddy
, et al.
소스
2022 Compound Semiconductor Week (CSW)
.
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