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1 . Academic Journal
Study of Leakage Current Transport Mechanisms in Pseudo-Vertical GaN-on-Silicon Schottky Diode Grown by Localized Epitaxy
저자
by
Mohammed El Amrani
;
Julien Buckley
;
Thomas Kaltsounis
;
David Plaza Arguello
;
Hala El Rammouz
, et al.
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Crystals, Vol 14, Iss 6, p 553 (2024)
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7 . Academic Journal
Optimisation of Negative Fixed Charge Based Edge Termination for Vertical GaN Schottky Devices
저자
by
Vishwajeet Maurya
;
Daniel Alquier
;
Mohammed El Amrani
;
Matthew Charles
;
Julien Buckley
.
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Micromachines, Vol 15, Iss 6, p 719 (2024)
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7 . Academic Journal
Electrical Transport Characteristics of Vertical GaN Schottky-Barrier Diode in Reverse Bias and Its Numerical Simulation
저자
by
Vishwajeet Maurya
;
Julien Buckley
;
Daniel Alquier
;
Mohamed-Reda Irekti
;
Helge Haas
, et al.
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Energies, Vol 16, Iss 14, p 5447 (2023)
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7 . Academic Journal
Recent Developments and Prospects of Fully Recessed MIS Gate Structures for GaN on Si Power Transistors
저자
by
Pedro Fernandes Paes Pinto Rocha
;
Laura Vauche
;
Patricia Pimenta-Barros
;
Simon Ruel
;
René Escoffier
, et al.
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Energies, Vol 16, Iss 7, p 2978 (2023)
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7 . Academic Journal
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy Investigation of Electron Traps on AlGaN/GaN-on-Si Power Diodes
저자
by
Florian Rigaud-Minet
;
Christophe Raynaud
;
Julien Buckley
;
Matthew Charles
;
Patricia Pimenta-Barros
, et al.
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Energies, Vol 16, Iss 2, p 599 (2023)
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7 . Academic Journal
Capacitance Temperature Dependence Analysis of GaN-on-Si Power Transistors
저자
by
Florian Rigaud-Minet
;
Julien Buckley
;
William Vandendaele
;
Matthew Charles
;
Marie-Anne Jaud
, et al.
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Energies, Vol 15, Iss 19, p 7062 (2022)
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7 . Academic Journal
Analytic Model of Threshold Voltage (VTH) Recovery in Fully Recessed Gate MOS-Channel HEMT (High Electron Mobility Transistor) after OFF-State Drain Stress
저자
by
René Escoffier
;
Blend Mohamad
;
Julien Buckley
;
Romain Gwoziecki
;
Jérome Biscarrat
, et al.
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Energies, Vol 15, Iss 3, p 677 (2022)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Coherent tunneling in an AlGaN/AlN/GaN heterojunction captured through an analogy with a MOS contact
저자
by
Yannick Baines
;
Julien Buckley
;
Jérôme Biscarrat
;
Gennie Garnier
;
Matthew Charles
, et al.
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Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-10 (2017)
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7 .
Electrical Behavior of Vertical Pt/Au Schottky Diodes on GaN Homoepitaxy
저자
by
Maroun Dagher
;
Camille Sonneville
;
Georges Brémond
;
Dominique Planson
;
Eric Frayssinet
, et al.
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physica status solidi (a)
physica status solidi (a), 2023, ⟨10.1002/pssa.202200841⟩
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7 .
Characterization of unintentional doping in localized epitaxial GaN layers on Si wafers by scanning spreading resistance microscopy
저자
by
Thomas Kaltsounis
;
Helge Haas
;
Matthieu Lafossas
;
Simona Torrengo
;
Vishwajeet Maurya
, et al.
소스
Microelectronic Engineering
. 273:111964
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