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1 . Academic Journal
Effect of fixed dielectric charges on tunnelling transparency in MIM and MIS structures
저자
by
Bernardini, S
;
Masson, P
;
Houssa, M
.
소스
In
Microelectronic Engineering
2004 72(1):90-95
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RefWorks
5 . Academic Journal
Defect generation in ultra-thin SiO 2 gate layers and SiO 2/ZrO 2 gate stacks and the dispersive transport model
저자
by
Houssa, M
;
Afanas’ev, V.V
;
Stesmans, A
;
Heyns, M.M
.
소스
In
Microelectronic Engineering
2001 59(1):367-371
Full Text (ScienceDirect)
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RefWorks
6 . Academic Journal
Energy barriers between (100)Si and Al 2O 3 and ZrO 2-based dielectric stacks: internal electron photoemission measurements
저자
by
Afanas’ev, V.V
;
Houssa, M
;
Stesmans, A
;
Adriaenssens, G.J
;
Heyns, M.M
.
소스
In
Microelectronic Engineering
2001 59(1):335-339
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RefWorks
7 . Academic Journal
Soft breakdown in very thin Ta 2O 5 gate dielectric layers
저자
by
Houssa, M
;
Mertens, P.W
;
Heyns, M.M
;
Jeon, J.S
;
Halliyal, A
, et al.
소스
In
Solid State Electronics
2000 44(3):521-525
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RefWorks
7 . Academic Journal
Effect of extreme surface roughness on the electrical characteristics of ultra-thin gate oxides
저자
by
Houssa, M
;
Nigam, T
;
Mertens, P.W
;
Heyns, M.M
.
소스
In
Solid State Electronics
1999 43(1):159-167
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RefWorks
6 . Academic Journal
Internal photoemission of electrons from 2D semiconductor/3D metal barrier structures.
저자
by
Shlyakhov, I
;
Achra, S
;
Bosman, N
;
Asselberghs, I
;
Huyghebaert, C
, et al.
소스
Journal of Physics D: Applied Physics
. 7/22/2021, Vol. 54 Issue 29, p1-8. 8p.
Full Text (IOP)
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7 . Book
Charge Properties of Paramagnetic Defects in Semiconductor/Oxide Structures
저자
by
Afanas'ev, V. V
;
Houssa, M
;
Stesmans, A
.
소스
Bias Temperature Instability for Devices and Circuits. 2014, p229-252.
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RefWorks
5 .
Silicene on non-metallic substrates: Recent theoretical and experimental advances
저자
by
Andre Stesmans
;
Valeri Afanas'ev
;
Emilio Scalise
;
Michel Houssa
;
Konstantina Iordanidou
, et al.
소스
Nano Research
. 11:1169-1182
Open Access (OpenAIRE)
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RefWorks
7 .
Predicting 2D silicon allotropes on SnS2
저자
by
Emilio Scalise
;
Michel Houssa
;
Scalise, E
;
Houssa, M
.
소스
Nano Research
. 10:1697-1709
Open Access (OpenAIRE)
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RefWorks
6 . Academic Journal
Model for the trap-assisted tunnelling current through very thin SiO2/ZrO2 gate dielectric stacks.
저자
by
Houssa, M
;
Stesmans, A
;
Heyns, M M
.
소스
Semiconductor Science & Technology; 2001, Vol. 16 Issue 6, p427-432, 6p
Full Text (IOP Science)
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