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1 . Academic Journal
Temperature-Independent Current Dispersion in 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for 5G Applications
저자
by
Nicolò Zagni
;
Giovanni Verzellesi
;
Alessandro Chini
.
소스
Micromachines, Vol 13, Iss 12, p 2244 (2022)
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5 . Academic Journal
High-Resolution Photoemission Study of Neutron-Induced Defects in Amorphous Hydrogenated Silicon Devices
저자
by
Francesca Peverini
;
Marco Bizzarri
;
Maurizio Boscardin
;
Lucio Calcagnile
;
Mirco Caprai
, et al.
소스
Nanomaterials, Vol 12, Iss 19, p 3466 (2022)
Open Access (DOAJ)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Editorial for the Special Issue on Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications, Volume II
저자
by
Giovanni Verzellesi
.
소스
Micromachines, Vol 13, Iss 3, p 403 (2022)
Open Access (DOAJ)
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RefWorks
3 . Academic Journal
Fabrication of a Hydrogenated Amorphous Silicon Detector in 3-D Geometry and Preliminary Test on Planar Prototypes
저자
by
Mauro Menichelli
;
Marco Bizzarri
;
Maurizio Boscardin
;
Mirco Caprai
;
Anna Paola Caricato
, et al.
소스
Instruments, Vol 5, Iss 4, p 32 (2021)
Open Access (DOAJ)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Modeling a Thick Hydrogenated Amorphous Silicon Substrate for Ionizing Radiation Detectors
저자
by
Jeremy Alexander Davis
;
Maurizio Boscardin
;
Michele Crivellari
;
Livio Fanò
;
Matthew Large
, et al.
소스
Frontiers in Physics, Vol 8 (2020)
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RefWorks
7 . Academic Journal
On the Modeling of the Donor/Acceptor Compensation Ratio in Carbon-Doped GaN to Univocally Reproduce Breakdown Voltage and Current Collapse in Lateral GaN Power HEMTs
저자
by
Nicolò Zagni
;
Alessandro Chini
;
Francesco Maria Puglisi
;
Paolo Pavan
;
Giovanni Verzellesi
.
소스
Micromachines, Vol 12, Iss 6, p 709 (2021)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Correlating electroluminescence characterization and physics-based models of InGaN/GaN LEDs: Pitfalls and open issues
저자
by
Marco Calciati
;
Michele Goano
;
Francesco Bertazzi
;
Marco Vallone
;
Xiangyu Zhou
, et al.
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AIP Advances, Vol 4, Iss 6, Pp 067118-067118-23 (2014)
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RefWorks
7 .
Gate-Bias Induced RON Instability in p-GaN Power HEMTs
저자
by
Alessandro Chini
;
Nicolò Zagni
;
Giovanni Verzellesi
;
Marcello Cioni
;
Giovanni Giorgino
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters
. 44:915-918
Full Text (IEEE)
Open Access (OpenAIRE)
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RefWorks
7 .
III-N optoelectronic devices: understanding the physics of electro-optical degradation
저자
by
Matteo Meneghini
;
Nicola Roccato
;
Francesco Piva
;
Carlo De Santi
;
Matteo Buffolo
, et al.
소스
Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVII
.
Open Access (OpenAIRE)
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RefWorks
7 .
Symmetrical VTH/RON Drifts Due to Negative/Positive Gate Stress in p-GaN Power HEMTs
저자
by
Nicolò Zagni
;
Marcello Cioni
;
Maria Eloisa Castagna
;
Maurizio Moschetti
;
Ferdinando Iucolano
, et al.
소스
2022 IEEE 9th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA)
.
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