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1 . Academic Journal
Effect of process variations and ambient temperature on electron mobility at the SiO/sub 2//4H-SiC interface
저자
by
Chao-Yang Lu
;
Cooper, J.A., Jr.
;
Tsuji, T.
;
Gilyong Chung
;
Williams, J.R.
, et al.
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IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 50(7):1582-1588 Jul, 2003
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RefWorks
7 . Academic Journal
The effects of high-dose gamma irradiation on high-voltage 4H-SiC Schottky diodes and the SiC-SiO/sub 2/ interface
저자
by
Sheridan, D.C.
;
Gilyong Chung
;
Clark, S.
;
Cressler, J.D.
.
소스
IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 48(6):2229-2232 Dec, 2001
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RefWorks
6 .
Synchrotron X-ray Topography Studies of Dislocation Behavior During Early Stages of PVT Growth of 4H-SiC Crystals
저자
by
Ian Manning
;
Hongyu Peng
;
Michael Dudley
;
Tuerxun Ailihumaer
;
Yafei Liu
, et al.
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Journal of Electronic Materials
. 50:3258-3265
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RefWorks
7 .
Progress in Bulk 4H SiC Crystal Growth for 150 mm Wafer Production
저자
by
Yusuke Matsuda
;
Ian Manning
;
Tuerxun Ailihumaer
;
Edward Sanchez
;
Balaji Raghothamachar
, et al.
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Materials Science Forum
. 1004:37-43
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RefWorks
7 .
Investigation of Dislocation Behavior at the Early Stage of PVT-Grown 4H-SiC Crystals
저자
by
Gilyong Chung
;
Balaji Raghothamachar
;
Michael Dudley
;
Ian Manning
;
Tuerxun Ailihumaer
, et al.
소스
Materials Science Forum
. 1004:44-50
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RefWorks
7 .
Synchrotron X-Ray Topography Study on the Relationship between Local Basal Plane Bending and Basal Plane Dislocations in PVT-Grown 4H-SiC Substrate Wafers
저자
by
Edward Sanchez
;
Michael Dudley
;
Hongyu Peng
;
Balaji Raghothamachar
;
Ian Manning
, et al.
소스
Materials Science Forum
. 1004:393-400
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RefWorks
7 .
Relationship Between Basal Plane Dislocation Distribution and Local Basal Plane Bending in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
저자
by
Edward Sanchez
;
Hongyu Peng
;
Ian Manning
;
Tuerxun Ailihumaer
;
Michael Dudley
, et al.
소스
Journal of Electronic Materials
. 49:3455-3464
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RefWorks
7 . Academic Journal
Carrier Generation Lifetimes in 4H-SiC MOS Capacitors.
저자
by
Marinella, Matthew J.
;
Schroder, Dieter K.
;
Gilyong Chung
;
Loboda, Mark J.
;
Isaacs-Smith, Tamara
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices
. Aug2010, Vol. 57 Issue 8, p1910-1923. 14p.
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RefWorks
7 . Academic Journal
A Comparative Study of Micropipe Decoration and Counting in Conductive and Semi-Insulating Silicon Carbide Wafers.
저자
by
Jianwei Wan
;
Seung-Ho Park
;
Gilyong Chung
;
Loboda, Mark
.
소스
Journal of Electronic Materials; Oct2005, Vol. 34 Issue 10, p1342-1348, 7p, 2 Charts, 1 Graph
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RefWorks
6 .
Prismatic Slip in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
저자
by
Yu Yang
;
Ian Manning
;
Jianqiu Guo
;
Jeffrey Quast
;
Gilyong Chung
, et al.
소스
Journal of Electronic Materials
. 46:2040-2044
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