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1 . Academic Journal
First-principles screening for sustainable OTS materials
저자
by
Clima, S.
;
Matsubayashi, D.
;
Ravsher, T.
;
Garbin, D.
;
Delhougne, R.
, et al.
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In
Solid State Electronics
April 2024 214
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7 . Academic Journal
La Doped HZO-Based 3D-Trench Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors With High-Endurance (>10¹²) for FeRAM Applications
저자
by
Walke, A.M.
;
Popovici, M.I.
;
Sharifi, S.H.
;
Demir, E.C.
;
Puliyalil, H.
, et al.
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IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(4):578-581 Apr, 2024
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RefWorks
7 . Report
Transition-state-theory-based interpretation of Landau double well potential for ferroelectrics
저자
by
Alam, Md Nur K.
;
Clima, S.
;
Kaczer, B.
;
Roussel, Ph.
;
Truijen, B.
, et al.
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Open Access (Arxiv)
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7 . Conference
Pulse-Based Capacitive Memory Window with High Non-Destructive Read Endurance in Fully BEOL Compatible Ferroelectric Capacitors
저자
by
Mukherjee, S.
;
Bizindavyi, J.
;
Luo, Y-C.
;
Clima, S.
;
Read, J.
, et al.
소스
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2023 International. :1-4 Dec, 2023
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7 . Academic Journal
Capacitive Memory Window With Non-Destructive Read in Ferroelectric Capacitors
저자
by
Mukherjee, S.
;
Bizindavyi, J.
;
Clima, S.
;
Popovici, M.I.
;
Piao, X.
, et al.
소스
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(7):1092-1095 Jul, 2023
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7 . Academic Journal
Self-Rectifying Memory Cell Based on SiGeAsSe Ovonic Threshold Switch
저자
by
Ravsher, T.
;
Garbin, D.
;
Fantini, A.
;
Degraeve, R.
;
Clima, S.
, et al.
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IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(5):2276-2281 May, 2023
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7 . Academic Journal
A HydroDynamic Model for Trap-Assisted Tunneling Conduction in Ovonic Devices
저자
by
Buscemi, F.
;
Piccinini, E.
;
Vandelli, L.
;
Nardi, F.
;
Padovani, A.
, et al.
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IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(4):1808-1814 Apr, 2023
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7 . Academic Journal
Material relaxation in chalcogenide OTS SELECTOR materials
저자
by
Clima, S.
;
Garbin, D.
;
Devulder, W.
;
Keukelier, J.
;
Opsomer, K.
, et al.
소스
In
Microelectronic Engineering
15 July 2019 215
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7 . Academic Journal
New Insights of the Switching Process in GeAsTe Ovonic Threshold Switching (OTS) Selectors
저자
by
Hu, Z.
;
Zhang, W.
;
Degraeve, R.
;
Garbin, D.
;
Chai, Z.
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(2):812-818 Feb, 2023
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7 . Academic Journal
Dielectric Response in Ferroelectrics Near Polarization Switching: Analytical Calculations, First-Principles Modeling, and Experimental Verification
저자
by
Clima, S.
;
Verhulst, A.S.
;
Bagul, P.
;
Truijen, B.
;
McMitchell, S.R.C.
, et al.
소스
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(9):5345-5350 Sep, 2022
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