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1 . Academic Journal
Al2O3膜を用いたAlGaN/GaN MOS HEMTの電流制御性向上 / Improvement of current controllability of Al2O3-gate AlGaN/GaN MOS HEMTs
저자
by
Kenya Nishiguchi
;
Syota Kaneki
;
Tamotsu Hashizume
;
橋詰 保
;
西口 賢弥
, et al.
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JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3093
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RefWorks
7 . Academic Journal
AlxGa1-xN/GaN MOS-HEMT のゲート制御特性評価 / Characterization of AlxGa1-xN/GaN MOS-HEMTs
저자
by
Hashizume Tamotsu
;
Kenya Nishiguchi
;
Syouta Kaneki
;
Yuji Ando
;
安藤 祐次
, et al.
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JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3055
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RefWorks
7 . Academic Journal
Characterization of ICP-etching induced defects at GaN surfaces using MOS structures / MOS構造によるGaN表面のICPエッチング誘起欠陥の評価
저자
by
Hideki Sakurai
;
Kenya Nishiguchi
;
Ryuichiro Kamimura
;
Shinji Yamada
;
Tamotsu Hashizume
, et al.
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JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3026
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RefWorks
7 . Academic Journal
Al2O3/GaN 構造の界面制御プロセス / Interface control process for Al2O3/GaN structures
저자
by
Kenya Nishiguchi
;
Shota Kaneki
;
Tamotsu Hashizume
;
橋詰 保
;
西口 賢弥
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3023
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RefWorks
7 . Academic Journal
Effects of GaN-cap on C-V characteristics of AlGaN/GaN MOS structures / GaNキャップ層がAlGaN/GaN MOS構造のC-V特性に与える影響
저자
by
Kenya Nishiguchi
;
Syouta Kaneki
;
Tamotsu Hashizume
;
橋詰 保
;
西口 賢弥
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3152
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RefWorks
7 . Academic Journal
GaN MOS-HEMTの制御性および安定性の向上 / Improvement of stability and controllability of GaN MOS-HEMTs
저자
by
Kenya Nishiguchi
;
Shota Kaneki
;
Tamotsu Hashizume
;
橋詰 保
;
西口 賢弥
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3134
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Al2O3/AlGaN/GaN MOSHEMTの界面制御プロセス / Interface control process for Al2O3/AlGaN/GaN MOSHEMTs
저자
by
Hashizume Tamotsu
;
Nishiguchi Kenya
;
Shota Kaneki
;
橋詰 保
;
西口 賢弥
, et al.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :2887
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
7 . Academic Journal
Effects of high-temperature anneal on operation characteristics of GaN MOSFET / 高温アニールプロセスがGaN MOSFET特性に与える影響
저자
by
Kenya Nishiguchi
;
Tamotsu Hashizume
;
橋詰 保
;
西口 賢弥
.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2016, :3141
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RefWorks
6 . Academic Journal
AlGaN/GaN HEMTにおけるオフ状態ストレス後の表面帯電評価 / Evaluation of Surface charging in AlGaN/GaN HEMTs induced by off-stress bias
저자
by
Kenya Nishiguchi
;
Tamotsu Hashizume
;
橋詰 保
;
西口 賢弥
.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3044
Open Access (JSTAGE)
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RefWorks
6 . Academic Journal
デュアルゲート構造によるAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス評価
저자
by
Joel T. Asubar
;
橋詰 保
;
西口 賢弥
.
소스
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3764
Open Access (JSTAGE)
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