Pressure-driven metallization with significant changes of structural and photoelectric properties in two-dimensional EuSbTe3
- Resource Type
- Original Paper
- Authors
- Zhu, Zhi-Kai; Li, Zhong-Yang; Qin, Zhen; Wang, Yi-Ming; Wang, Dong; Zeng, Xiao-Hui; Liu, Fu-Yang; Dong, Hong-Liang; Hu, Qing-Yang; Kong, Ling-Ping; Liu, Hao-Zhe; Yang, Wen-Ge; Guo, Yan-Feng; Yan, Shuai; Fang, Xuan; He, Wei; Liu, Gang
- Source
- Rare Metals. :1-10
- Subject
- Pressure
Phase transition
Metallization
Photoresponse
Two-dimensional (2D)
- Language
- English
- ISSN
- 1001-0521
1867-7185
摘要: 二维材料在光电探测领域有着关键作用。为进一步提高二维光电材料的性能,缺陷工程等化学策略被广泛引入到材料合成中。在本文中,我们利用了一种新型的材料改性手段——压力,来操纵二维半导体EuSbTe3的结构和物理性质。结合X射线衍射和拉曼表征的实验结果可以证明,在压力下, EuSbTe3呈现出结构相变的特征;此外,材料的红外反射率增加,带隙减小,进而在较低的压力驱动下,电荷密度波消失,发生了半导体到金属的转变过程。在大约2 GPa的温和压力下,EuSbTe3的最大光电流是常压环境条件下的3倍,显示出在实际应用中的一定潜力。