최근 플래시 메모리는 빠른 접근 속도, 총격에 대한 강한 저항력, 저전력 소비의 장점으로 인해 디지털 카메라, 모바일 폰, 스마트 시계와 같은 이동 장치의 저장 장비로 사용되고 있다. 플래시 메모리는 덮어쓰기 불가능과 같은 물리적 제한점을 가지기 때문에 Flash Translation Layer(FTL)를 사용한다. FTL에서 사용하는 여러 가지 기법들이 임의 쓰기 패턴보다 순차 쓰기 패턴에 더 효율적으로 동작한다. 그러나 B-트리와 같은 자료구조를 사용하는 경우에 순차 쓰기 패턴보다 임의 쓰기를 더 많이 발생하기 때문에 FTL의 성능이 하락될 수도 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 WPC 기법과 WPCB 기법을 제안되었다. 그러나 제안된 기법들은 각각의 제한점이 존재한다. 본 논문에서 PTB라는 새로운 기법을 제안한다. B-트리에서 발생하는 임의 쓰기를 먼저 버퍼 블록에 저장하여 페이지 변환 테이블로 관리한다. 버퍼 블록이 채워지면 FTL에 유리한 순차쓰기를 발생시킨다. 성능평가를 통해서 PTB 기법은 WPCB 기법과 WPC 기법보다 플래시 메모리 I/O 비용 측면에서 우수한 것을 알 수 있다.
Recently, flash memory has been used as storage equipment for mobile devices such as digital cameras and mobile phones due to its advantages on fast access speed, resistance to shocks and low power consumption. Flash memory uses Flash Translation Layer (FTL) because it has physical characteristics that cannot be overwritten. Many algorithms used in FTL have better performance in sequential write patterns than random write patterns. However, using a data structure such as a B-tree may reduce the performance of FTLs because they generate random writes rather than sequential writes. In this paper, we analyze existing algorithms and propose a new algorithm. The results show that the proposed algorithm performs much better than the existing algorithms.