In various applications of organic field-effect transistors (OFETs), the memory effect is also exhibited by strong electric fields. This effect appears based on charge traps at the interface between semiconductor and insulator. However, conventional charge trap-based memory devices have challenges with slow transfer curve shift or use of brittle materials. In this study, in order to improve the performance of OFETs, we fabricated high-performance low-voltage operation transistor in which charge transfer appears in a short time at the interface and memory is achieved. Devices made using synthesized novel polymers with imide-based azobenzene moiety that attracts and stores electrons well due to its high electronegativity exhibits its characteristics when light and an electric field are applied together. In particular, it was observed that the effect was highly dependent only on light of a specific wavelength. Furthermore, the resulting OFETs stably maintain the stored memory state for more than 24 hours, quickly recover to the pristine state, and test their ability to withstand repeated programming and erasing several times, confirming that they operate as excellent memory devices.
유기전계효과트랜지스터의 다양한 응용 중 강한 전기장에 의한 메모리 현상이 사용되기도 한다. 이러한 메모리 현상은 반도체와 절연체의 계면에서 전하 트랩을 기반으로 나타나는데, 기존의 메모리 소자들은 트랜지스터의 성능 변화 속도가 느리거나 취성재료들을 사용한다는 문제가 있다. 본 연구에서는 이러한 소자 성능을 개선시키기 위해 계면에서 단 시간에 전하 이동이 나타나고 메모리 되는 고성능의 저전압 구동 유기트랜지스터를 제작했다. 전기 음성도가 커서 전자를 잘 끌어 당기고 저장하는 이미드 기반의 아조벤젠을 가진 새로 합성된 고분자를 사용하여 만들어진 소자는 빛과 전기장을 함께 인가 했을 때 메모리 특성이 나타났다. 특히 특정 파장의 빛에 의해서만 그 효과가 크게 나타남을 관찰했다. 더욱이, 제작된 소자들은 24 시간 이상 저장된 메모리 상태 안정하게 유지하며, 다시 원래 상태로 빠르게 회복되고, 프로그램 및 소거 특성을 여러 번 반복했을 때 이를 견디는 능력 테스트 통해 우수한 메모리 소자로서 작동함을 확인했다.