ZnO 박막을 AlN/Si(111) 기판 위에 Ion Beam Deposition (IBD) 방법을 이용하여 증착시켰다. 효율적인 ZnO 박막 성장을 위해 장비 power의 최적조건을 정하기 위한 실험을 한 다음, 여러 가지 기판 온도 조건에서 박막을 성장시켰다. X-ray diffraction (XRD)을 사용하여 결정 특성을 측정하고, field emission electron microscopy (FESEM) 을 이용하여 표면조직을 관찰하였다. 박막의 표면거칠기는 atomic force microscope (AFM)을 이용하여 측정하였다. 광학적특성 분석을 위하여 여러기판 온도에서 증착된 ZnO 박막을 세라믹 관상로를 이용하여 700 oC, O2 가스분위기에서 어닐링을 실시하였다. 어닐링처리를 한 박막은 photoluminescence (PL) 분광법을 이용하여 광학적특성을 측정하였다.XRD 분석 결과, ZnO 박막이 c-축 방향으로 성장되었고, c-plane에는 잔류응력이 존재하였으며, 기판온도의 증가에 따라 잔류응력은 감소하였다. FESEM을 사용하여 파단면을 분석한 결과, 증착된 ZnO 결정 사이에는 결정입계가 없었으며 AlN/Si(111) 기판 위에 에피텍셜하게 박막으로 성장되었다. 박막의 표면상태는 기판온도의 증가에 따라 현저하게 달라졌으며, AFM에 의해 측정된 평균표면거칠기는 평균 5nm 정도였다. 어닐링처리한 ZnO 박막에 대한 PL 측정 분석 결과, ultraviolet 영역에서 강한 band edge emission이 나타났고, 가시광선 영역에서는 매우 약한 defect level emission이 나타났다.