La substitution effect on the three-gap structure in the antiferromagnetic Kondo semiconductor CeOs2Al10 / 反強磁性近藤半導体CeOs2Al10の三段ギャップ構造に対するLa希釈効果
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan. 2016, :2061
- Subject
トンネル分光 希土類化合物(Ce系) 擬ギャップ及びスピンギャップ 近藤絶縁体及び少数キャリアー 重い電子系及び価数揺動 f電子系 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2189-0803