GaN基板上に作製したAl2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT のゲート制御性 / Gate controllability in Al2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT grown on GaN Substrates
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3065
- Subject
21a-331-7 GaN HEMT 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 半導体 窒化ガリウム 窒化物半導体各種デバイス,プロセス技術・評価 高電子移動度トランジスタ - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613