300GHz 受信器用InP HEMT 集積化GaAsSb バックワードダイオード検波器 / Monolithically Integrated GaAsSb-based Backward Diode with InP-based HEMTs for Receiver Applications at 300 GHz
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :770
- Subject
16p-2J-10 detector diode terahertz ダイオード テラヘルツ テラヘルツ全般 テラヘルツ発生・検出,非線形光学,光導電スイッチ,MQW,光混合 光・フォトニクス 検波器 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613