Effects of the PS-GaN square on the bowing of GaN wafer fabricated using the sapphire dissolution technique in the Na-flux growth / Naフラックスサファイア溶解法においてポイントシード面積がGaN結晶反りに与える影響
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3349
- Subject
6a-A301-6 Gallium Nitride III-V族窒化物結晶 Na-flux method Naフラックス法 成長(液相) 窒化ガリウム 結晶工学 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613