Polarization of N-H bonds during growth of GaAsN by chemical beam epitaxy / 化学ビームエピタキシー法により成長したGaAsN における N-H 結合の偏向特性の起源
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2014, :3979
- Subject
19a-S1-8 GaAsN N-H complex chemical beam epitaxy コードシェアセッション 化合物半導体,III-V族エピタキシャル結晶,III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613