GaN MOS-HEMTの制御性および安定性の向上 / Improvement of stability and controllability of GaN MOS-HEMTs
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3134
- Subject
15p-315-9 GaN MOSHEMT Nitride 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 半導体 窒化ガリウム 窒化物 窒化物半導体各種デバイス,プロセス技術・評価 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613