3.3 kV級SiC-MOSFETに適用するFLR型終端構造 / FLR Edge Termination for 3.3 kV SiC-MOSFET
- Resource Type
- Journal Article
- Source
- JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2015, :3493
- Subject
14a-B4-11 3.3kV IV族系化合物 SiC edge termination デバイス 終端 結晶工学 - Language
- Japanese
- ISSN
- 2436-7613